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公开/公告号CN113363316A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-07
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;
申请/专利号CN202110628040.0
发明设计人 朱颢;张凯;杨雅芬;孙清清;
申请日2021-06-06
分类号H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/34(20060101);H01L21/44(20060101);
代理机构11511 北京得信知识产权代理有限公司;
代理人孟海娟
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2023-06-19 12:29:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-11
授权
发明专利权授予
机译: 负量子电容场效应晶体管
机译: 一种具有漏区和源区的原位生产的晶体管器件的制备方法以及相应的晶体管器件,所述漏极区和源极区具有可变形的端基合金和逐渐变化的掺杂剂分布
机译: 具有mos结构的晶体管器件,其中由于制造误差而减小了输出阻抗的变化;一种晶体管器件的制备方法,以及以此方式形成的CMOS电路
机译:基于单层WSE2二维晶体半导体的通道,纳米级场效应晶体管中量子电容对纳米级场效应晶体管的电荷载流子密度估计的影响
机译:60mV /十年以下陡峭开关器件拓扑绝缘体中负量子电容的实验证据
机译:量子器件的电离和位移损伤辐照研究:共振隧穿二极管和二维电子气晶体管
机译:高性能石墨烯场效应晶体管器件中的迁移率提取和量子电容冲击
机译:晶体管电路中的负微分电阻(非线性,器件,化合物,SCR建模,电阻多端口)。
机译:二维电致伸缩场效应晶体管(2D-EFET):60mV /十倍以下陡峭斜率器件具有高导通电流
机译:量子电容:金属绝缘体 - 半导体器件中的负量子电容效应,复合石墨烯 - 封装门(ADV。电子。Matter。4/2016)
机译:实空间转移的集合蒙特卡罗模拟(NERFET /正泰)(负差分电阻场效应晶体管/电荷注入晶体管)器件