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基于金修饰富含氧空位二氧化锡的DMMP传感器及其制备方法

摘要

一种具有气敏响应特性的金修饰富含氧空位二氧化锡纳米材料的电阻型DMMP传感器及其制备方法,属于气体传感器技术领域。该传感器为管式结构,由外表面带有两条平行且彼此分立的环状Au电极Al2O3陶瓷管衬底、涂覆在陶瓷管外表面和环状Au电极上的金修饰富含氧空位的二氧化锡纳米材料气体敏感薄膜、穿过陶瓷管内部的镍铬合金加热线圈组成。本发明可以通过控制反应温度、反应时间以及反应前驱物的比例实现表明金修饰富含氧空位二氧化锡纳米材料的组成、结构等性能的调控。该纳米材料对DMMP具有优异的气敏特性,具有高的灵敏度和快的响应恢复速率,解决了纯态半导体氧化物材料检测DMMP时面临的灵敏度低和无法恢复的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN113325041A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 吉林大学;

    申请/专利号CN202110597879.2

  • 发明设计人 刘森;杨志民;张彤;费腾;

    申请日2021-05-31

  • 分类号G01N27/12(20060101);

  • 代理机构22201 长春吉大专利代理有限责任公司;

  • 代理人刘世纯;王恩远

  • 地址 130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号

  • 入库时间 2023-06-19 12:24:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-04

    授权

    发明专利权授予

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