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一种高纯结晶二氧化硅颗粒的制备方法

摘要

本发明公开了一种大颗粒高纯、超高纯结晶二氧化硅的制备方法,首先以粒径50μm以上的非晶态二氧化硅粉末为原料,再经过水热法或高温处理得到结晶二氧化硅。本发明所得结晶二氧化硅粒度分布范围为45~400μm,杂质元素总含量低于20ppm或30ppb,采用简单可控的制备工艺人工合成大颗粒高纯、超高纯结晶二氧化硅,可为解决高新科技领域大颗粒高纯、超高纯结晶二氧化硅材料不足的现状提供新方法。

著录项

  • 公开/公告号CN113307275A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉大学;

    申请/专利号CN202110244316.5

  • 发明设计人 袁良杰;黄荷;王师宇;严诗婷;

    申请日2021-03-05

  • 分类号C01B33/18(20060101);

  • 代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人李欣荣

  • 地址 430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号

  • 入库时间 2023-06-19 12:22:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-05

    授权

    发明专利权授予

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