用于在集成电路处理期间保护经单个化集成电路裸片的方法及相关设备

摘要

本申请案涉及用于在集成电路处理期间保护经单个化集成电路裸片的方法及相关设备。提供经单个化集成电路IC裸片。所述经单个化IC裸片定位在切割带上，以在相邻的经单个化IC裸片的侧面之间提供开放空间。底部填充层及保护覆盖膜安置在所述经单个化IC裸片及所述相邻的经单个化IC裸片的侧面之间的开放空间上面。所述底部填充层及所述保护覆盖膜包含一或多个可光界定的材料。执行曝光操作以在所述底部填充层与所述保护覆盖膜上产生图案。基于所述图案，在所述相邻的经单个化IC裸片的所述侧面之间的所述开放空间上面的区域处将所述底部填充层及所述保护覆盖膜移除，以形成安置在所述经单个化IC裸片上面的所述底部填充层的部分及所述保护覆盖膜的部分。

说明书

技术领域

本公开的实施例大体上涉及半导体制造，且更具体地，涉及使用保护覆盖膜来在集成电路处理期间进行底部填充保护。

背景技术

集成电路(IC)裸片堆叠可包含以下过程：将多个裸片彼此上下安装，其中堆叠的裸片最终封装在单个半导体封装中以形成离散电子装置。堆叠式IC裸片的采用继续增加，以努力减少整个电气装置占用面积并改进电气装置的电气性能。

发明内容

本申请案的方面是针对一种方法，其包括：在载体的切割带上提供经单个化集成电路(IC)裸片，其中所述经单个化IC裸片定位在所述切割带上，以在相邻的经单个化IC裸片的侧面之间提供开放空间；在所述经单个化IC裸片及所述相邻的经单个化IC裸片的所述侧面之间的所述开放空间上面安置底部填充层及保护覆盖膜，其中所述保护覆盖膜经定位在所述底部填充层上面，其中所述底部填充层及所述保护覆盖膜包括一或多个可光界定的材料；执行曝光操作以在所述底部填充层及所述保护覆盖膜上产生图案；及根据所述图案，在所述相邻的经单个化IC裸片的所述侧面之间的所述开放空间上面的区域处将所述底部填充层及所述保护覆盖膜移除，以形成安置在所述经单个化IC裸片上面的所述底部填充层的部分及所述保护覆盖膜的部分。

本申请案的另一方面是针对一种设备，其包括：载体；经单个化集成电路(IC)裸片，其定位在所述载体上面，其中所述经单个化IC裸片定位在所述载体上，以在相邻的经单个化IC裸片的侧面之间提供开放空间；及底部填充层，其位于所述经单个化IC裸片上面；及保护覆盖膜，其位于所述底部填充层上面，其中所述保护覆盖膜使用粘合接合耦合到所述底部填充层。

本申请案的又一方面是针对一种方法，其包括：提供包括集成电路(IC)裸片的装置晶片；在所述装置晶片上面安置底部填充层及保护覆盖膜，其中所述保护覆盖膜在所述底部填充层上面并耦合到所述底部填充层；及通过处理装置将所述IC裸片从所述装置晶片切割，以形成经单个化IC裸片，其中所述经单个化IC裸片包括安置在所述经单个化IC裸片上面的所述底部填充层的部分及所述保护覆盖膜的部分。

附图说明

从下文给出的详细描述且从本公开的各种实施例的附图将更全面理解本公开。然而，不应将图式用于将本公开限制于特定实施例，而仅为了解释及理解。

图1根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片，所述制造过程包含用于在载体上提供装置晶片的第一操作。

图2根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片，所述制造过程包含用于在装置晶片上方形成底部填充层以及保护覆盖膜的第二操作。

图3根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片，所述制造过程包含用于将介于装置晶片的IC裸片之间的装置晶片的区域上面的底部填充层及保护覆盖膜的第三操作。

图4根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片，所述制造过程包含用于从装置晶片切割IC裸片以形成经单个化IC裸片的第四操作。

图5A根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片，所述制造过程包含用于移除保护覆盖膜的一或多个部分的第五操作。

图5B根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片，所述制造过程包含用于移除保护覆盖膜的一或多个部分的第六操作。

图6根据本公开的一些实施例说明在制造过程中的装置堆叠，所述制造过程包含将多个裸片彼此上下堆叠的第七操作。

图7根据本公开的一些实施例说明用于使用保护覆盖膜用于底部填充保护的制作过程的流程图。

图8根据本公开的一些实施例说明用于使用保护覆盖膜用于底部填充保护的制作过程的流程图。

图9根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片，所述制作过程包含用于在载体上提供装置晶片的第一操作。

图10根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片的经单个化IC裸片，所述制造过程包含用于将IC裸片与装置晶片分离的第二操作。

图11根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片的经单个化IC裸片，所述制造过程包含用于在经单个化IC裸片上面形成底部填充层及保护覆盖膜的第三操作。

图12根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片的经单个化IC裸片，所述制造过程包含用于执行曝光操作以在底部填充层或保护覆盖膜中的一或多个上产生图案的第四操作。

图13根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片的经单个化IC裸片，所述制造过程包含用于在相邻的经单个化IC裸片之侧面之间的开放空间上面的区域移除底部填充层及保护覆盖膜的第五操作。

图14A根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片的经单个化IC裸片，所述制造过程包含用于移除保护覆盖膜的一或多个部分的第六操作。

图14B根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片的经单个化IC裸片，所述制造过程包含用于移除保护覆盖膜的一或多个部分的第七操作。

图15根据本公开的一些实施例说明在经单个化IC裸片上方使用保护覆盖膜及底部填充层的制造过程的流程图。

图16为根据本公开的实施例制作的计算装置。

具体实施方式

裸片堆叠包含用IC裸片制作一或多个晶片。可将晶片置放在载体上并经切割以形成经单个化IC裸片。挑选经单个化IC裸片并进行分类，以找到起作用的“好”裸片，并移除不起作用的“坏”裸片。起作用的经单个化IC裸片可在经单个化IC裸片的表面上面具有底部填充层。底部填充层可包含介电材料。当两个起作用的IC裸片堆叠以形成堆叠装置时，底部填充层可夹在两个堆叠裸片之间。底部填充层可有助于将两个堆叠裸片进行电绝缘，以及辅助于焊接及接合堆叠IC裸片。

在一些常规的制作系统中，可将晶片级底部填充物施加到晶片上。当将晶片切割以形成经单个化IC裸片时，切割操作产生的污染物可落到底部填充层上。另外，在一些情况下，当从载体挑选经单个化IC裸片时，其它污染物可落在仍位于载体上的经单个化IC裸片的底部填充层上。底部填充层上的污染物可致使经单个化IC裸片及所得堆叠装置具有电气及机械缺陷，此可能会降低良率。

本公开的方面通过在装置晶片上面安置底部填充层及保护覆盖膜来解决上述及其它缺陷。保护覆盖膜可位于底部填充层上面。在切割装置晶片期间，保护覆盖膜可留在装置晶片上，并保护下伏底部填充层免受污染。

在一些实施例中，在从载体移除经单个化IC裸片之前，可选择性地移除经单个化IC裸片上面的底部填充层。载体上的剩余经单个化IC裸片中的一或多个可保留保护覆盖膜的其相应部分。当从载体移除所选择经单个化IC裸片时，位于装置晶片上的经单个化IC裸片上的保护覆盖膜可有助于载体上的经单个化IC裸片(及底部填充层)免受污染。

在一些实施方案中，保护覆盖膜可为使用粘合剂接合粘合至底部填充层的顶部表面的材料。例如，保护覆盖膜可为使用粘合剂耦合至底部填充层的聚合物。保护覆盖膜可具有小于底部填充层与装置晶片之间的粘合强度的粘合强度，以及小于经单个化IC裸片的底部表面与载片的切割带之间的粘合强度的粘合强度，使得当移除保护覆盖膜时，底部填充层保留在经单个化IC裸片上，且经单个化IC裸片保留粘合到载体上。

在说明性实施例中，底部填充层可包含非导电膜(NCF)。NCF可包含固体材料，例如聚合物，其被施配为固体薄片。在一些情况下，保护覆盖膜及NCF两者被预先粘合并被施配为单个薄片。可使用热量或压力中的一或多个将包含保护覆盖膜及NCF两者的薄片层压在晶片上面。当将装置晶片切割时，保护覆盖膜及NCF保留在装置晶片及所得经单个化IC裸片上。关于经单个化IC裸片，可在制作过程期间的任何期望时间使用大于保护覆盖膜与NCF之间的粘合接合的力从下伏NCF移除(例如，剥离)保护覆盖膜。

本公开的其它方面藉由将装置晶片的IC裸片分离成经单个化IC裸片来解决上述及其它缺陷。在一些实施例中，可使用清洁操作移除与将IC裸片从装置晶片分离相关联的松散颗粒。经单个化IC裸片设置在载体的切割带上。经单个化IC裸片定位在切割带上，以在相邻的经单个化IC裸片的侧面之间设置开放空间(例如，深蚀道)。底部填充层及保护覆盖膜安置在经单个化IC裸片上面以及相邻的经单个化IC裸片的侧面之间的开放空间。底部填充层或保护覆盖膜中的一或多个包含可光界定的材料。执行曝光操作以在所述底部填充层与所述保护覆盖膜上产生图案。基于所述图案，在相邻的经单个化IC裸片的侧面之间的开放空间上面的区域移除底部填充层及保护覆盖膜，以形成安置在经单个化IC裸片上面的底部填充层的部分及保护覆盖膜的部分。由于在安置底部填充层之前对装置晶片进行切割及清洁，因此底部填充层暴露于较少的污染物。此外，底部填充层的部分上方的保护覆盖膜的单个化(例如，部分)可进一步保护底部填充层免受IC处理期间产生的污染物的影响。

鉴于其它IC处理技术，本公开的优点包含但不限于经改进IC裸片良率及经改进堆叠装置良率。特定而言，本公开的方面在集成电路制作过程期间减少底部填充层上的污染物，此可导致经改进良率。

应注意，出于说明而非限制的目的，下文图1到6及到图9到13B经描述为设备(例如，装置晶片)及一系列操作。应注意，在一些实施例中，可执行一些、所有、更多或不同的操作。可注意到，在一些实施例中，一些操作可以不同次序执行或根本不执行。

图1根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片，所述制造过程包含用于在载体上提供装置晶片的第一操作。

图1的图100说明定向在载体112(在本文中也被称为“晶片载体”)上面的装置晶片110。在一些实施例中，装置晶片110可是指在例如半导体制作过程的制作过程期间已用电路图案化的经图案化晶片。装置晶片110可具有已制作在装置晶片110上的多个集成电路(IC)。可将集成电路与装置晶片110分离(例如，切割)以形成多个经单个化IC裸片。在一些实施例中，载体112可是指支撑装置晶片110的平台。例如，载体112可用于帮助处置装置晶片110或将装置晶片110从一件制作设备运送到另一件制作设备。在另一实例中，载体112可用于帮助存储相关联装置晶片110。在说明性实例中，载体112可包含框架108(在本文中也被称为“晶片框架环”)及切割带106。框架108可由例如金属或金属合金的刚性材料形成。切割带106可为固持装置晶片110的材料，且可在切割操作期间用于固持装置晶片110及所得单个化IC晶片，以将经单个化IC裸片与装置晶片110分离。在切割带的顶侧上的粘合剂可将装置晶片110(或经单个化裸片)固持在适当的位置。切割带106可由许多材料制成，例如，聚烯烃，聚乙烯、或聚氯乙烯(PVC)。

图2根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片，所述制造过程包含用于在装置晶片上方形成底部填充层以及保护覆盖膜的第二操作。

图2的图200展示形成在装置晶片110上面的底部填充层214(在本文中也被称为“晶片级底部填充物”)及保护覆盖膜216。底部填充层214可是指施加到装置晶片110或经单个化裸片的电绝缘材料(例如，介电材料)。在一些实施例中，底部填充层214可为具有粘合强度并粘合到装置晶片110的粘合层。在一些实施例中，在使用热或压力中的一或多个将底部填充层214安置在装置晶片110上之后，可将其完全或部分固化。在一些实施例中，底部填充层214可完全或部分地囊封在其上安置底部填充层的下伏IC裸片的任何电触点(例如，柱)。在一些实施例中，底部填充层214可有助于补偿第一IC裸片与第一IC裸片接合的另一IC裸片(或衬底)之间的热膨胀失配。

在一些实施例中，底部填充层214(及保护覆盖膜216)可为完全或部分透明的，使得光学检测装置可检测装置晶片110的IC裸片之间的区域(例如，用于切割)或检测用于裸片到裸片(或衬底)的接合的IC裸片的电连接。例如，对准特征可形成在装置晶片110处。对准特征可定位在“深蚀道”中，所述“深蚀道”为装置晶片110的IC裸片之间的区域。可使用电荷耦合装置(CCD)或光学相机来检测底部填充层214(及保护覆盖膜216)下方的对准特征。可使用对准特征作为导引来切割装置晶片110，使得可分离装置晶片110的IC裸片而不损坏IC裸片。

在一些实施例中，底部填充层214包含非导电膜(NCF)。NCF可包含电绝缘材料(例如，电媒体)。NCF可包含清洁剂，所述清洁剂通过消除氧化来促进焊接。NCF还可防止焊料回流到相邻的电触点并造成电损坏(例如，电短路)。在一些实施例中，且如上文所述，NCF为可被施配为固体材料薄片的固体材料。例如，NCF薄片可从卷辊展开且置放在下伏装置晶片110的顶部上。在一些实施例中，NCF及保护覆盖膜216可被施配为单个材料薄片，如上文及下文进一步论述。NCF可具有如关于底部填充层214所论述的一或多个特性。在其它实施例中，底部填充层214可为或包含不同的材料，例如但不限于热固性聚合物(例如，环氧树脂)、二氧化硅或其它材料。

在一些实施例中，保护覆盖膜216可为使用粘合剂接合粘合到底部填充层214的顶部表面的层。例如，保护覆盖膜216可包含粘合到底部填充层214的顶部表面的粘合剂。保护覆盖膜216可具有小于底部填充层214与装置晶片110之间的粘合强度的粘合强度。保护覆盖膜216的粘合强度可小于装置晶片110(或经单个化IC裸片)与载体112的切割带106之间的粘合强度。低粘合强度允许在不从载体112移除下伏底部填充层214或经单个化IC裸片的情况下移除(例如，拉出)保护覆盖膜216(或保护覆盖膜216的一部分)。在一些实施例中，保护覆盖膜216也可为完全或部分透明的，这允许光学检测装置检测装置晶片110的裸片之间的区域。在一些实施例中，底部填充层214可为“粘性的”或具有粘合特性，使得保护覆盖膜216可在不使用额外粘合材料的情况下粘合到底部填充层214的顶部表面。在一些实施例中，保护覆盖膜216可为固体材料，其经分配为固体薄片。在一些实施例中，从装置晶片110的IC裸片延伸的电触点延伸穿过底部填充层214，但不延伸穿过保护覆盖膜216。保护覆盖膜216可包含与底部填充层214不同的材料。在一些实施例中，保护覆盖膜216不包含抗蚀剂材料(例如，响应于暴露于例如紫外线光的光源而固化或硬化的材料)。

在一些实施例中，底部填充层214及保护覆盖膜216可使用例如层压操作的单个操作一起施加。在一些实施例中，在将底部填充层214及保护覆盖膜216施加到装置晶片110上之前，将底部填充层214及保护覆盖膜216彼此预粘合(例如，单薄片)。将包含底部填充层214及保护覆盖膜216两者的固体片材置放在装置晶片110上面，并使用层压操作将其层压到装置晶片110。层压操作施加热及压力两者，这导致底部填充层214粘合到装置晶片110的顶部表面。例如，可将经加热的压板定位在底部填充层214及保护覆盖膜216的薄片上面。经加热的压板可将热及压力两者施加到薄片上。在另一实例中，可使用气囊来通过使用真空在装置晶片110、底部填充层214及保护覆盖膜216周围施加压力。可在真空中施加热以执行层压操作。

在一些实施例中，可使用多种操作来施加底部填充层214及保护覆盖膜216。例如，底部填充层214可被施加到装置晶片110的顶部表面。可将保护覆盖膜216施加到底部填充层的顶部表面。例如，毛细管底部填充操作将底部填充材料(作为液体)施配在装置晶片110上。依靠毛细管作用将底部填充材料吸引到装置晶片110上方。底部填充材料可在施加保护覆盖膜216之前或之后在高温下固化。在一些实施例中，在施配底部填充材料之后，可如本文中所描述将保护覆盖膜216施配为薄片。在其它实施例中，在施配底部填充材料之后，可将保护覆盖膜216安置为液体层(例如，旋涂)。

在使用多个操作来施加底部填充层214及保护覆盖膜216的另一实例中，底部填充层214可作为液体施配朝向装置晶片110的中心并横跨装置晶片110分布并加速晶片以达到确定的径向速度(例如，旋涂)。底部填充层214可经部分地固化(例如，b阶段化)。如本文中所描述，保护覆盖膜216可片状或液体形式施加在底部填充层214上面。

图3根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片，所述制造过程包含用于将介于装置晶片的IC裸片之间的装置晶片的区域上面的底部填充层及保护覆盖膜的第三操作。

图3的图300展示在位于装置晶片110的IC裸片之间的装置晶片110的区域上面(例如，在装置晶片110的深蚀道上面)的底部填充层214和及保护覆盖膜216的移除。底部填充层214及保护覆盖膜216在装置晶片110的深蚀道上面被移除，以形成保护覆盖膜316的多个部分及底部填充层314的多个部分。应注意，在移除装置晶片110的深蚀道上面的保护覆盖膜216及底部填充层214之后，将底部填充层214及保护覆盖膜216有效地单个化以形成保护覆盖膜316的部分及保护覆盖膜316的部分。

在一些实施例中，激光源装置318可用于移除装置晶片110的深蚀道上面的底部填充层214及保护覆盖膜216。例如，激光源装置318可发射所选择波长(及所选择功率)的光，所述光在所期望区域蚀刻保护覆盖膜216及底部填充层214。在一些实施例中，激光源装置318可在所期望区域中移除保护覆盖膜216及底部填充层214，而无需切割装置晶片110的下伏IC裸片。例如，可选择光的波长及功率，使得激光源装置318在不蚀刻装置晶片110的情况下蚀刻保护覆盖膜216及底部填充层214。在其它实施例中，保护覆盖膜216及底部填充层214可使用不同的技术来移除，例如物理锯或化学材料移除。

图4根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片，所述制造过程包含用于从装置晶片切割IC裸片以形成经单个化IC裸片的第四操作。

图4的图400展示对装置晶片110的切割以形成经单个化IC裸片420。在一些实施例中，例如图3的激光源装置318的激光源装置可用于切割装置晶片110的个别IC裸片。在一些实施例中，可使用相同的激光源装置来分离保护覆盖膜216、底部填充层214及装置晶片110。例如，激光源装置318可使用第一波长的光及第一选择功率来蚀刻保护覆盖膜216及底部填充层214，且使用第二波长的光及第二选择功率来切割装置晶片110(例如，两遍过程)。用以切割装置晶片110的光的波长以及所选择功率分别可比选择用于刻蚀保护覆盖膜216及底部填充层214的光的波长及所选择功率更小或更高。在另一实例中，可使用不同的激光源装置，使得使用第一激光源装置蚀刻保护覆盖膜216及底部填充层214，且使用不同的激光源装置切割装置晶片110。

在一些实施例中，例如，可使用不同的技术(或其组合)来切割装置晶片110，例如物理锯或化学材料移除或通过曝光引起的材料降解。应注意，为了说明而非限制起见，将保护覆盖膜216及底部填充层214的移除以及装置晶片110的切割描述为不同的操作。在一些实施例中，保护覆盖膜216、底部填充层214及装置晶片110中的一或多个可使用单个过程来分离。例如，可用光的波长和所选择功率来校准激光源装置318，以单遍次切穿所有保护覆盖膜216、底部填充层214及装置晶片110。

图5A根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片，所述制造过程包含用于移除保护覆盖膜的一或多个部分的第五操作。

图5A的图500展示从底部填充层314的相应部分移除保护覆盖膜316的所有部分。如上文所述，保护覆盖膜216可粘合至底部填充层214的顶部表面(例如，在切割之后，保护覆盖膜316的部分可粘合到底部填充层314的相应部分)。在一些实施例中，可执行脱胶操作以从底部填充层的相应部分移除保护覆盖膜的一部分。例如，可通过以大于保护覆盖膜316的部分与底部填充层314的相应部分之间的粘合力的力将保护覆盖膜316的部分拉动远离底部填充层314的部分来使保护覆盖膜316的部分脱胶(例如，分层)。例如，可以类似于从表面移除粘合胶带的方式移除保护覆盖膜316的部分。在一些实施例中，保护覆盖膜316膜的所有部分可在脱胶操作期间被移除，如所说明。在移除保护覆盖膜316的所有部分之后，可从载体112移除经单个化IC裸片420，并将其用于随后的操作中，例如关于图6所描述的裸片堆叠。

图5B根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片，所述制造过程包含用于移除保护覆盖膜的一或多个部分的第六操作。

图5B的图550展示保护覆盖膜216的选择性移除部分。在一些实施例中，载体112上的一或多个经单个化裸片可使保护覆盖膜的相应部分被移除(例如，选择性脱胶操作)，而载体112上的其它经单个化IC裸片未使保护覆盖膜的相应部分被移除。在一些实施例中，可将已使其保护覆盖膜的相应部分被移除的一或多个经单个化IC从载体112移除，而将具有保护覆盖膜216的相应部分的其它经单个化IC裸片保持粘合到载体112。保护覆盖膜的部分可有助于保护保留在载体112上的相应下伏经单个化IC裸片(以及底部填充层的相应部分)免受从先前已使保护覆盖膜的相应部分被移除的经单个化IC裸片的移除扩散的污染物(例如，与将IC裸片与装置晶片110分离相关联的松散颗粒)影响。

例如，可移除经单个化IC裸片420的第一经单个化IC裸片的保护覆盖膜。可保留第一经单个化IC裸片的底部填充层。载体112可包含开放区域，在所述开放区域处，先前已将第二经单个化IC裸片移除，其中第二经单个化裸片在移除第一经单个化IC裸片的保护覆盖膜之前已被移除。第三经单个化IC裸片也可定向在载体112上面。第三经单个化IC裸片上面的保护覆盖膜及底部填充层仍保留(例如，当从载体112移除第一或第二经单个化IC裸片时)，并保护第三经单个化IC裸片及其底部填充层的一部分免受污染。

可注意到，在其它实施例中，可从载体112移除包含底部填充层的相应部分及保护覆盖膜的部分的经单个化IC裸片。在从载体112移除经单个化IC裸片之后，可移除相应经单个化IC裸片的保护覆盖膜的部分。例如，可在将经单个化IC裸片从载体112上移除之后但在将经单个化IC裸片堆叠在另一电子装置上之前，移除保护覆盖膜的部分。

图6根据本公开的一些实施例说明在制造过程中的装置堆叠，所述制造过程包含将多个裸片彼此上下堆叠的第七操作。

图6的图600展示裸片堆叠操作。装置晶片626(在本文中也被称为“接收晶片”)可为任何类型的装置晶片。可注意到，在一些实施例中，可将经单个化IC裸片堆叠在衬底上而不是装置晶片110上。可在移除保护覆盖膜的相应部分之后将经单个化IC裸片624B及底部填充层624A的相应部分从载体112上移除，并将其置放(粘着)在装置晶片626的裸片628上。也可将另一经单个化IC裸片622B及底部填充层622A的相应部分从载体112(或具有不同类型的IC裸片的不同载体)移除，并粘着在经单个化IC裸片624B上面。可将任何数目个经单个化IC裸片堆叠在装置堆叠630中。

在一些实施例中，可执行热压接合(TCB)操作以将堆叠的裸片彼此接合。在TCB操作中，将热及压力施加到装置堆叠630(或至少两个堆叠的裸片)。TCB操作允许底部填充层624A及622A的部分填充任何空隙并使焊接点回流以形成经单个化IC裸片622B与624B之间的互连。

下文可描述图1到6的元件以帮助分别说明图7的方法700及图8的方法800。方法700及800可作为一或多个操作来执行。可注意到，方法700或800可以任何次序执行，且可包含相同、不同、更多或更少的操作。可注意到，方法700或800可由一或多件半导体制作设备或制作工具执行，在下文中被称为制作设备。

图7根据本公开的一些实施例说明用于使用保护覆盖膜用于底部填充保护的制作过程的流程图。

在方法700的操作705处，制作设备提供装置晶片。装置晶片可包含多个未切割的IC裸片。在一些实施例中，装置晶片可设置在载体上。

在操作710处，制作设备在装置晶片上面安置底部填充层及保护覆盖膜。在一些实施例中，保护覆盖膜在底部填充层上面并耦合到底部填充层。在一些实施例中，底部填充层为NCF。在一些实施例中，将保护覆盖膜及底部填充层施配为单个固体薄片，其中保护覆盖膜被预粘合到底部填充层。薄片可经定向以覆盖下伏装置晶片并被层压到装置晶片上。在一些实施例中，可使用例如层压操作将底部填充层及保护覆盖膜层压在装置晶片上。

在操作715处，制作设备将IC裸片从装置晶片切割以形成经单个化IC裸片。在一些实施例中，经单个化IC裸片包含底部填充层的部分及层压在经单个化IC裸片上面的保护覆盖膜的部分。

在一些实施例中，将IC裸片从装置晶片切割以形成经单个化IC裸片包含将位于装置裸片的介于IC裸片之间的区域上面的底部填充层及保护覆盖膜移除。

在一些实施例中，执行分离操作，其中制作设备在将IC裸片从装置晶片切割以形成经单个化IC裸片之前，将位于装置晶片的介于IC裸片之间的区域上面的底部填充层及保护覆盖膜移除(例如，两个过程)。

在操作720处，制作设备将保护覆盖膜的一或多个部分从经单个化IC裸片上移除。在一些实施例中，移除保护覆盖膜的一或多个部分使得在经单个化IC裸片上面的底部填充层的相应一或多个部分暴露。

在一些实施例中，将保护覆盖膜的一或多个部分从经单个化IC裸片移除包含使用脱胶操作来移除保护覆盖膜的部分，所述脱胶操作移除了保护覆盖膜的所有部分。

在一些实施例中，将保护覆盖膜的一或多个部分从经单个化IC裸片移除包含将在第一经单个化IC裸片上面的保护覆盖膜的第一部分移除。将第一经单个化IC裸片从载体移除。经单个化IC裸片经定向在载体上面。在将第一经单个化IC裸片从载体移除之后，将在第二经单个化IC裸片上面的保护覆盖膜的第二部分移除。

在操作725处，制作设备将使保护覆盖膜的相应部分被移除的经单个化IC裸片从载体移除。

在操作730处，制作设备将经单个化裸片堆叠在另一IC裸片上面。在一些实施例中，经单个化裸片的保护覆盖膜的相应部分先前已被移除(例如，操作725)。在一些实施例中，经单个化裸片堆叠在例如衬底(例如，倒装芯片)的不同对象上面。

图8根据本公开的一些实施例说明用于使用保护覆盖膜用于底部填充保护的制作过程的流程图。

在方法800的操作805处，制作设备提供装置晶片。装置晶片可包含多个未切割的IC裸片。在一些实施例中，装置晶片可设置在载体上。

在操作810处，制作设备将底部填充层安置在装置晶片上面。

在操作815处，制作设备将保护覆盖膜安置在底部填充层上面。

在操作820处，制作设备将IC裸片从装置晶片切割以形成经单个化IC裸片。在一些实施例中，经单个化IC裸片包含底部填充层的部分及层压在经单个化IC裸片上面的保护覆盖膜的部分。

在一些实施例中，将IC裸片从装置晶片切割以形成经单个化IC裸片包含：作为将IC裸片从装置晶片切割以形成经单个化IC裸片的部分，将位于装置裸片的介于IC裸片之间的区域上面的底部填充层及保护覆盖膜移除。

在一些实施例中，执行分离操作，其中制作设备在将IC裸片从装置晶片切割以形成经单个化IC裸片之前，将位于装置晶片的介于IC裸片之间的区域上面的底部填充层及保护覆盖膜移除。在一些实施例中，执行分离操作，其中引导激光源装置在位于装置晶片的在IC裸片之间的区域上面的位置处朝向保护覆盖膜及底部填充层发射光，使得保护覆盖膜及底部填充层被分离成对应于装置晶片的IC裸片的相应者的保护覆盖膜的部分及底部填充层的部分。在一些实施例中，分离操作可在将IC裸片从装置晶片切割以形成经单个化IC裸片之前执行。

在操作825处，制作设备将保护覆盖膜的一或多个部分从经单个化裸片上移除。保护覆盖膜的一或多个部分的移除暴露经单个化IC裸片上面的底部填充层的相应一或多个部分。

在一些实施例中，将保护覆盖膜的一或多个部分从经单个化IC裸片移除包含使用脱胶操作来移除保护覆盖膜的部分，所述脱胶操作移除了保护覆盖膜的所有部分。

在一些实施例中，将保护覆盖膜的一或多个部分从经单个化IC裸片移除包含将在经单个化IC裸片中的第一经单个化IC裸片上面的保护覆盖膜的第一部分移除。将第一经单个化IC裸片从载体上移除，其中其它经单个化IC裸片经定向在载体上面。在将第一经单个化IC裸片从载体移除之后，将经单个化IC裸片的第二经单个化IC裸片上面的保护覆盖膜的第二部分移除。

在操作830处，制作设备将经单个化IC裸片从载体112移除。在将经单个化IC裸片从载体112移除之前，已移除经单个化裸片的保护覆盖膜部分。

在操作835处，制作设备将经单个化IC裸片堆叠在另一IC裸片(或其它对象，例如衬底)上面。

在一些实施例中，所述方法包含提供包含集成电路(IC)裸片的装置晶片；将底部填充层及保护覆盖膜安置在装置晶片上面，其中所述保护覆盖膜在底部填充层上面并耦合到所述底部填充层；及通过处理装置将IC裸片从所述装置晶片切割，以形成经单个化IC裸片，其中所述经单个化IC裸片包含安置在经单个化IC裸片上面的底部填充层的部分及保护覆盖膜的部分。

在一些实施例中，所述方法包含将保护覆盖膜的一或多个部分从经单个化IC裸片移除，其中移除保护覆盖膜的一或多个部分暴露在经单个化IC裸片上面的底部填充层的相应一或多个部分。在一些实施例中，所述方法，其中将保护覆盖膜的一或多个部分从经单个化IC裸片移除包含使用脱胶操作移除保护覆盖膜的部分，所述脱胶操作将保护覆盖膜的所有部分移除。在一些实施例中，所述方法，其中将保护覆盖膜的一或多个部分从经单个化IC裸片上移除包含在第一单个化IC裸片上面移除保护覆盖膜的第一部分；将第一经单个化IC裸片从载体上移除，其中经单个化IC裸片被定向在载体上面；及在将第一经单个化IC裸片从载体移除之后，将位于第二经单个化IC裸片上面的保护覆盖膜的第二部分移除。在一些实施例中，所述方法包含在移除第一经单个化IC裸片之后，将第一经单个化IC裸片堆叠在另一IC裸片上面。

在一些实施例中，所述方法，其中将IC裸片从装置晶片切割以形成经单个化IC裸片包含：作为将IC裸片从装置晶片切割以形成经单个化IC裸片的部分，将位于装置裸片的介于IC裸片之间的区域上面的底部填充层及保护覆盖膜移除。

在一些实施例中，所述方法包含引导激光源装置在位于装置晶片的在IC裸片之间的区域上面的位置处朝向保护覆盖膜及底部填充层发射光，使得保护覆盖膜及底部填充层被分离成对应于装置晶片的IC裸片的相应者的保护覆盖膜的部分及底部填充层的部分。

在一些实施例中，设备包含：载体；定位在载体上面的装置晶片的集成电路(IC)裸片；以及在IC裸片上面的底部填充层；以及在底部填充层上面的保护覆盖膜，其中所述保护覆盖膜使用粘合接合耦合到底部填充层，其中位于装置晶片的介于IC裸片之间的区域上面的底部填充层及保护覆盖膜已被移除。

在一些实施例中，底部填充层包含非导电膜，且其中底部填充层及保护覆盖膜层压到IC裸片。在一些实施例中，已通过来自激光源装置的发射光移除位于装置晶片的位于IC裸片之间的区域上面的保护覆盖膜及底部填充层，使得保护覆盖膜及底部填充层被分离为对应于装置晶片的IC裸片中的相应者的保护覆盖膜的部分及底部填充层的部分。在一些实施例中，IC裸片包含已从装置晶片切割的IC裸片，其中已移除经单个化IC裸片中的第一经单个化IC裸片上面的保护覆盖膜，且其中保留位于第一经单个化IC裸片的底部填充层。在一些实施例中，载体包含开放区域，在所述开放区域处，已将经单个化IC裸片中的第二经单个化IC裸片从载体移除。在一些实施例中，经单个化IC裸片中的第三经单个化IC裸片被定向在载体上面，其中保留位于第三经单个化IC裸片上面的保护覆盖膜及底部填充层。

在一些实施例中，所述方法包含提供包含集成电路(IC)裸片的装置晶片；在装置晶片上面安置底部填充层；在底部填充层上面安置保护覆盖膜；及通过处理装置将IC裸片从所述装置晶片切割，以形成经单个化IC裸片，其中所述经单个化IC裸片包含位于经单个化IC裸片上面的底部填充层的部分及保护覆盖膜的部分。

在一些实施例中，所述方法包含将保护覆盖膜的一或多个部分从经单个化IC裸片移除，其中移除保护覆盖膜的一或多个部分暴露在经单个化IC裸片上面的底部填充层的相应一或多个部分。在一些实施例中，其中将保护覆盖膜的一或多个部分从经单个化IC裸片移除包含使用脱胶操作来移除保护覆盖膜的部分，所述脱胶操作移除了保护覆盖膜的所有部分。在一些实施例中，其中将保护覆盖膜的一或多个部分从经单个化IC裸片上移除包含在经单个化IC裸片中的第一单个化IC裸片上面移除保护覆盖膜的第一部分；将第一经单个化IC裸片从载体上移除，其中经单个化IC裸片被定向在载体上面；及在将第一经单个化IC裸片从载体移除之后，将位于经单个化IC裸片的第二经单个化IC裸片上面的保护覆盖膜的第二部分移除。在一些实施例中，所述方法包含在移除第一经单个化IC裸片之后，将第一经单个化IC裸片堆叠在另一IC裸片上面。

在一些实施例中，所述方法，其中将IC裸片从装置晶片切割以形成经单个化IC裸片包含：作为将IC裸片从装置晶片切割以形成经单个化IC裸片的部分，将位于装置裸片的介于IC裸片之间的区域上面的底部填充层及保护覆盖膜移除。在一些实施例中，所述方法包含引导激光源装置在位于装置晶片的在IC裸片之间的区域上面的位置处发射经引导朝向保护覆盖膜及底部填充层的光，使得保护覆盖膜及底部填充层被分离成对应于装置晶片的IC裸片的相应者的保护覆盖膜的部分及底部填充层的部分。

为了清楚起见，上文关于图1到8的描述被并入或应用于关于图9到15的描述(且反之亦然)，除非另有描述。例如，除非另有描述，否则关于图1到8所描述的元件、操作或实施例被并入或应用于关于图9到15所描述的相似元件、操作或实施例的描述。例如，除非另有说明，关于图1到8的载体112、切割带106及装置晶片110的描述可适用于关于图9到5的载体912、切割带906及装置晶片910的描述。进一步地为了清楚起见，上文关于图1到8的描述通常(但有例外)在下文关于图9到15不再重复，但可并入到或适用于关于图9到15所描述的任何方面。还应注意，关于图1到8所描述的任何操作可被包含在关于图9到15所描述的操作(或方法)中或与其结合(且反之亦然)。

图9根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片，所述制作过程包含用于在载体上提供装置晶片的第一操作。

图9的图900说明定向在载体912上面的装置晶片910。装置晶片910可包含已制作在装置晶片910上的任何数目个IC晶片。载体912可包含框架908及切割带906中的一或多个。在一些实施例中，切割带906可为透明的或部分透明的。特定来说，在一些实施例中，切割带906对于用于执行如关于图12进一步所描述的曝光操作的光的波长(或波长范围)是透明的或部分透明的。

图10根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片的经单个化IC裸片，所述制造过程包含用于将IC裸片与装置晶片分离的第二操作。

图10的图1000说明经单个化IC裸片1020A到1020J(在本文中通常被称为“经单个化IC裸片1020”)。可注意到，提供经单个化IC裸片1020A的1010J是出于说明目的而不是限制。在一些实施例中，可提供任何数目个经单个化IC裸片1020。

在一些实施例中，经单个化IC裸片1020被设置在载体912的切割带906上。装置晶片110包含IC裸片(例如，如图9中所展示未经单个化)。在一些实施例中，将装置晶片910的IC裸片与装置晶片910分离(例如，切割)以形成经单个化IC裸片1020。在一些实施例中，对经单个化IC裸片1020执行清洁操作以移除与将IC裸片与装置晶片910分离相关联的任何松散颗粒。例如，可使用一或多种溶剂来将松散颗粒从载体912及经单个化IC裸片1020移除。在一些实施例中，可执行任何类型的清洁操作以清洁载体912及经单个化IC裸片1020。

在一些实施例中，经单个化IC裸片1020定位在切割带906上以在相邻的经单个化IC裸片1020的侧面之间提供开放空间(例如，开放空间1050A及1050B，在本文中也被称为“深蚀道”)。

在一些实施例中，装置晶片910为非重构晶片，如在图9中所说明。非重构晶片可是指在其上直接制作电子电路(例如，多个IC裸片)的半导体晶片。对于使用非重构晶片的一些实施例，载体912为在其上设置有未切割的装置晶片910(例如，如在图9中所说明的非重构晶片)的载体，在所述载体上装置晶片910被分离成经单个化IC裸片1020，且在所述载体上安置有底部填充层及保护覆盖膜。在使用非重构晶片的一些实施例中，所有经单个化IC裸片1020均来自同一装置晶片910。

在其它实施例中，可使用重构晶片。重构晶片可是指具有IC裸片的晶片，所述IC裸片已从装置晶片切割，已从IC裸片在其上被切割的相应载体移除，并已附接(至少一些)到衬底(例如，载体衬底)或直接附接在不同载体的切割带上。在一些情况下，重构晶片的经单个化IC裸片可来自一或多个装置晶片。

图11根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片的经单个化IC裸片，所述制造过程包含用于在经单个化IC裸片上面形成底部填充层及保护覆盖膜的第三操作。

图11的图1100说明经单个化IC裸片1020以及安置在经单个化IC裸片1020上面的底部填充层1114及保护覆盖膜1116。在一些实施例中，经单个化IC裸片1020设置在载体912的切割带906上。经单个化IC裸片1020定位在切割带906上，以在相邻的经单个化IC裸片1020的侧面之间提供开放空间(例如，深蚀道)。

在一些实施例中，底部填充层1114及保护覆盖膜1116安置在经单个化IC裸片1020及相邻的经单个化IC裸片1020之间的开放空间上面。保护覆盖膜1116定位在底部填充层1114上面。应注意，底部填充层1114及保护覆盖膜1116的安置在上文且特定来说是关于图2进一步予以描述。在一些实施例中，底部填充层1114或保护覆盖膜1116中的一或多个包含一或多个可光界定的材料(在本文中也被称为“光敏材料”)。可光界定可是指材料的特性，其中暴露于光(例如，特定范围或特定波长)可致使所述材料被修改(例如，材料性质的改变，例如硬化或软化材料)。可通过将可光界定的材料暴露于光的图案中来图案化所述材料。经硬化的可光界定材料可保留，而未硬化的(或退化的)可光界定的材料可被移除，这产生可光界定材料的特定图案。

在一些实施例中，可光界定材料可包含正性作用的可光界定材料。对于正性作用的可光界定材料，将光引导至所述可光界定材料在打算移除的区域中。当正性作用的可光界定材料暴露于光时，所述材料的化学结构改变且变得更易溶于光显影剂中。可光界定材料的这些暴露区域可用光显影剂溶剂冲洗掉，留下下伏材料。未暴露于光的可光界定材料的区域不溶于光显影剂。所要图案的副本可应用于正性作用的可光界定材料。

在一些实施例中，可光界定材料可包含负性作用的可光界定材料。对于负性作用的可光界定材料，曝光可导致可光界定材料的化学结构聚合，这与正性作用的可光界定材料具有相反的效应。负性作用的的可光界定材料可变得难以溶解，而不是变得更易溶解。因此，曝光的负性作用的可光界定材料可保留，而光致抗蚀剂显影剂溶液起作用以将未暴露于光的区域移除。所要特征的反图案可应用于负性作用的的可光界定材料。

图12根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片的经单个化IC裸片，所述制造过程包含用于执行曝光操作以在底部填充层或保护覆盖膜中的一或多个上产生图案的第四操作。

图12的图1200说明曝光操作的性能，以在底部填充层1114或保护覆盖膜1116中的一或多个上产生图案1256。图案可是指在材料上创建的设计，其中材料的一些区域基于那些区域对光的曝光改变材料的材料性质(例如，固化材料)，而材料的其它区域基于不存在没有曝光，不具有材料的特性的改变。曝光操作可是指将一或多个光波长(或光的波长范围)施加到可光界定的材料。曝光操作可基于曝光在可光界定的材料中或上创建图案。除了光的波长，在曝光操作中，还可控制曝光的持续时间或曝光功率中的一或多个。

在一些实施例中并且如图所示，光源1252使光1254穿过切割带906的底侧且穿过开放空间投射至底部填充层1114及保护覆盖膜1116的区域以形成图案1256。图案1256以虚线表示底部填充层1114及保护覆盖膜1116的区域(例如，在深蚀道上面)，以展示由于光1254暴露穿过经单个化IC裸片1020之间的深蚀道而已修改那些区域处的底部填充层1114及保护覆盖膜1116。应注意，在曝光操作中，经单个化IC裸片1020的深蚀道可用作“虚拟”掩模。在光1254穿过深蚀道向上投射的一些实施例中，底部填充层1114及保护覆盖膜1116中包含的一或多个可光界定的材料为正性作用的的可光界定的材料。在光1254穿过深蚀道向上投射的一些实施例中，底部填充层1114对于曝光操作中使用的光的波长无透明的或部分透明的。

在一些实施例中且如图12中所说明，底部填充层1114及保护覆盖膜1116两者均包含一或多个可光界定的材料，使得可使用曝光操作在底部填充层1114及保护覆盖膜1116上形成图案。在其它实施例中，底部填充层1114或保护覆盖膜1116中的一或多个不包含可光界定的材料。例如，底部填充层1114可包含一或多个可光界定的材料，且保护覆盖膜1116不包含可光界定的材料。

在一些实施例中，为了执行曝光操作以在底部填充层1114或保护覆盖膜1116中的一或多个上产生图案，使光穿过保护覆盖膜1116的顶部表面投射到底部填充层1114以形成图案。例如，掩模(或无掩模)曝光操作可从保护覆盖膜1116上方投射光以形成图案。在此类实施例中，底部填充层1114或保护覆盖膜1116的一或多个可光界定的材料可包含正性作用的或负性作用的的可光界定的材料。在光从保护覆盖膜1116上面投射的一些实施例中，至少保护覆盖膜1116对于曝光操作中使用的光的波长为透明的或部分透明的。

图13根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片的经单个化IC裸片，所述制造过程包含用于在相邻的经单个化IC裸片之侧面之间的开放空间上面的区域移除底部填充层及保护覆盖膜的第五操作。

图13的图1300说明基于图案在相邻的经单个化IC裸片1020的侧面之间的开放空间上面的区域处将底部填充层1114及保护覆盖膜1116移除，以形成保护覆盖膜1316的部分及底部填充层1314的部分。

在一些实施例中，为了在开放空间上面的区域处将底部填充层1114及保护覆盖膜1116移除，可执行显影操作。显影操作可包含将底部填充剂层1114及保护覆盖膜1116暴露于显影溶液(例如，化学移除)，以将在开放空间上面的区域(例如，其已经图案化)处的底部填充剂层1114及保护覆盖膜1116移除。例如，溶剂可包含丙酮或氢氧化四甲基铵(TMAH)中的一或多个。在一些实施例中，显影操作还包含清洁操作，以清洁由在开放空间上面的区域处将底部填充层1114及保护覆盖膜1116移除所产生的松散颗粒。例如，异丙醇(IPA)可用于清洁松散颗粒。

图14A根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片的经单个化IC裸片，所述制造过程包含用于移除保护覆盖膜的一或多个部分的第六操作。

图14A的图1400类似于图5A的图500，且为了简洁起见，此处不全部地重复关于图5A的描述。在一些实施例中，将保护覆盖膜1316的一或多个部分从经单个化IC裸片1020移除。在一些实施例中，如所说明，脱胶操作移除保护覆盖膜1316的所有部分。在移除保护覆盖膜1316的所有部分之后，可将经单个化IC裸片1020从载体912移除，并将其用于随后操作，例如关于图6所描述的裸片堆叠。

图14B根据本公开的一些实施例说明在制造过程中使用的装置晶片的经单个化IC裸片，所述制造过程包含用于移除保护覆盖膜的一或多个部分的第七操作。

图14B的图1450展示保护覆盖膜1316的选择性移除部分。图14B的图1450类似于图5B的图550，且为了简洁起见，此处不全部地重复关于图5B的描述。

在一些实施例中，载体912上的一或多个经单个化切块可使保护覆盖膜的相应部分被移除(例如，选择性脱胶操作)，而载体912上的其它经单个化IC裸片未使保护覆盖膜的相应部分被移除。在一些实施例中，可将第一经单个化裸片上面的保护覆盖膜的第一部分移除。可将第一经单个化裸片从载体912移除。在将第一经单个化IC裸片从载体912移除之后，移除在第二IC裸片上面的保护覆盖膜的第二部分。在一些实施例中，在移除第一经单个化IC裸片之后，如关于图6所描述的，第一经单个化IC裸片堆叠在另一IC裸片上面。

在一些实施例中，可移除经单个化IC裸片1020的第一经单个化IC裸片的保护覆盖膜的部分。可保留第一经单个化IC裸片的底部填充层。载体912可包含开放区域，在所述开放区域处，先前已将第二经单个化IC裸片移除，其中第二经单个化裸片在移除第一经单个化IC裸片的保护覆盖膜之前已被移除。第三经单个化IC裸片也可定向在载体912上面。第三经单个化IC裸片上面的保护覆盖膜及底部填充层仍保留(例如，当从载体912移除第一或第二经单个化IC裸片时)，并保护第三经单个化IC裸片及其底部填充层的一部分免受污染。

下文可描述图1到6及图9到14B的元件以有助于说明图15的方法1500。方法1500可作为一或多个操作来执行。可注意到，方法1500可以任何次序执行，且可包含相同、不同、更多或更少的操作。可注意到，方法1500可由一或多件半导体制作设备或制造工具执行，下文中被称为制作设备。

图15根据本公开的一些实施例说明在经单个化IC裸片上方使用保护覆盖膜及底部填充层的制造过程的流程图。

在方法1500的操作1505中，制作设备提供装置晶片。装置晶片可包含多个未切割的IC裸片。在一些实施例中，装置晶片可设置在载体的切割带上。

在操作1510处，制作设备将IC裸片与装置晶片分离，以形成经单个化IC裸片。在一些实施例中，经单个化IC裸片定位在切割带上，以在相邻的经单个化IC裸片的侧面之间提供开放空间。

在操作1515处，制作设备执行清洁操作。清洁操作可移除与将IC裸片与装置晶片分离相关联的松散颗粒。

在操作1520处，提供经单个化IC裸片。在一些实施例中，经单个化IC裸片设置在载体的切割带上。如上文所述，将经单个化IC裸片定位在切割带上，以在相邻的经单个化IC裸片的侧面之间提供开放空间。

在操作1525处，制作设备在经单个化IC裸片及相邻的经单个化IC裸片的侧面之间的开放空间上面安置底部填充层及保护覆盖膜。保护覆盖膜定位于底部填充层上面。在一些实施例中，底部填充层及保护覆盖膜包含一或多个可光界定的材料。

在一些实施例中，制作设备单独地安置底部填充层及底部填充层。例如，制作设备在经单个化IC裸片上面及相邻的经单个化IC裸片侧面之间的开放空间上面安置底部填充层。底部填充层包含一或多个可光界定的材料。然后，制作设备在底部填充层上面安置保护覆盖膜。

在操作1530处，制作设备执行曝光操作。曝光操作可在底部填充层或保护覆盖膜中的一或多个上产生图案。

在一些实施例中，为了执行曝光操作以在底部填充层及保护覆盖膜上产生图案，制作设备使光穿过切割带的下侧并穿过开放空间投射到在开放空间上面的底部填充层及保护性覆盖物的区域以形成图案。

在一些实施例中，为了执行曝光操作以在底部填充层及保护覆盖膜上产生图案，制作设备使光穿过保护覆盖膜的顶部表面投射到底部填充层以形成图案。

在一些实施例中，执行曝光操作以在底部填充层上产生图案。保护覆盖膜可具有或可不具有可光界定的材料，且可使用曝光操作来图案化或可不图案化。

在操作1535处，制作设备在开放空间上面的区域处将底部填充层及保护覆盖膜移除。在一些实施例中，制作设备基于所述图案在相邻的经单个化IC裸片的侧面之间的开放空间上面的区域处将底部填充层及保护覆盖膜移除，以形成安置在经单个化IC裸片上面的底部填充层的部分及保护覆盖膜的部分。

在一些实施例中，制作设备将保护覆盖膜的一或多个部分从经单个化IC裸片移除。在一些实施例中，移除保护覆盖膜的一或多个部分使得在经单个化IC裸片上面的底部填充层的相应一或多个部分暴露。

在一些实施例中，将保护覆盖膜的一或多个部分从经单个化IC裸片移除包含使用脱胶操作来移除保护覆盖膜的部分，所述脱胶操作移除了保护覆盖膜的所有部分。

在一些实施例中，将保护覆盖膜的一或多个部分从经单个化IC裸片移除包含将在第一经单个化IC裸片上面的保护覆盖膜的第一部分移除。将第一经单个化IC裸片从载体移除。经单个化IC裸片经定向在载体上面。在将第一经单个化IC裸片从载体移除之后，将在第二经单个化IC裸片上面的保护覆盖膜的第二部分移除。

在一些实施例中，制作设备将使保护覆盖膜的相应部分被移除的经单个化IC裸片从载体移除。在一些实施例中，制作设备将经单个化裸片堆叠在另一IC裸片或例如衬底(例如，倒装裸片)的不同对象上面。

在一些实施例中，制作设备基于图案在邻近经单个化IC裸片的侧面之间的开放空间上面的区域处将底部填充层移除，以产生安置在经单个化IC裸片上面的底部填充层的部分。可移除或可不移除区域处的保护覆盖膜。保护覆盖膜可包含或不包含可光界定的材料，且可或可不经单个化成保护覆盖膜的部分。在一些情况下，除了使用可光界定的材料(例如，激光、锯等)以外，可将保护覆盖膜单个化成部分。在一些实施例中，在移除开放空间上面的区域处的底部填充层之前，移除保护覆盖膜。

在一些实施例中，方法包含：在载体的切割带上提供经单个化集成电路(IC)裸片，其中将经单个化IC裸片定位在切割带上，以在相邻的经单个化IC裸片的侧面之间提供开放空间；在经单个化IC裸片及相邻的经单个化IC裸片的侧面之间的开放空间上面安置底部填充层，其中底部填充层包含一或多个可光界定的材料；在底部填充层上面安置保护覆盖膜；执行曝光操作以在底部填充层上产生图案；及基于图案，在相邻的经单个化IC裸片的侧面之间的开放空间上面的区域处将底部填充层移除，以形成底部填充层的安置在经单个化IC裸片上面的部分。

在一些实施例中，所述方法进一步包含在载体的切割带上提供装置晶片，其中所述装置晶片包含IC裸片；及将IC裸片从装置晶片分离，以形成经单个化IC裸片。在一些实施例中，所述方法，其中执行曝光操作以在底部填充层上产生图案包含使光穿过切割带的下侧及开放空间投射到底部填充层的区域以形成图案。

图16为根据本公开的实施例制作的计算装置。计算装置1600可包含多个组件。在一个实施例中，组件附接到一或多个电路板上，例如母板。在替代实施例中，将这些组件中的一些或全部制作到单个单片系统(SoC)裸片上，例如用于移动装置的SoC。在实施例中，计算装置1600中的组件包含但不限于堆叠式IC裸片1602及至少一个通信逻辑单元1608。在一些实施例中，通信逻辑单元1608被制作在单独的集成电路芯片中，所述集成电路芯片可接合到与堆叠式IC裸片1602共享或电耦合到所述堆叠式IC裸片的衬底或母板。堆叠式IC裸片1602可包含例如IC裸片622B、底部填充物622A、IC裸片624B、底部填充层624A及IC裸片628。可注意到，在实施例中，堆叠式IC裸片1602可包含额外元件(例如，堆叠式裸片上的额外IC裸片、处理器等)。在另一实例中，堆叠式IC裸片1602可包含本文中所描述的一些或全部元件，以及包含额外元件。

计算装置1600可包含可或可不物理地及电地耦合到母板或被制作在SoC裸片内的其它组件。这些其它组件包含但不限于易失性存储器1610(例如，DRAM)、非易失性存储器1612(例如，ROM或快闪存储器)、图形处理单元1614(GPU)、数字信号处理器1616、加密处理器1642(例如，执行硬件内的加密算法的专用处理器)、芯片组1620、至少一个天线1622(在一些实施例中，可使用两个或多于两个天线)、显示器或触摸屏显示器1624(例如，可包含堆叠式IC裸片602)、触摸屏控制器1626、电池1628或其它电源、功率放大器(未展示)、电压调节器(未展示)、全球定位系统(GPS)设备1627、指南针(未展示)、运动协处理器或传感器1632(可包含加速度计、陀螺仪及指南针)(未展示)、麦克风(未展示)、扬声器1634、相机1636、用户输入装置1638(例如键盘、鼠标、手写笔及触摸板)以及大容量存储装置1640(例如，硬盘驱动器、光盘(CD))、数字通用磁盘(DVD)等)。计算装置1600可并入本文中未描述的其它传输、电信或无线电功能。在一些实施例中，计算装置1600包含无线电，所述无线电用于通过调制及辐射空气或空间中的电磁波在远距离上进行通信。在进一步实施例中，计算装置1600包含用于通过调制及辐射空气或空间中的电磁波在远距离上进行通信的发射器及接收器(或收发器)。

通信逻辑单元1608启用无线通信，以用于往返计算装置1600传送数据。术语“无线”及其派生词可用于描述电路、装置、系统、方法、技术、通信信道等，这些电路、装置、系统、方法、技术、通信信道等可通过使用经过非固体媒体的调制电磁辐射来传递数据。所述术语并不意味着相关联装置不包含任何电线，尽管在一些实施例中其可能没有。通信逻辑单元1608可实施多种无线标准或协议中的任一者，包含但不限于Wi-Fi(IEEE 802.11系列)、WiMAX(IEEE 802.16系列)、IEEE 802.20、长期演进(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、红外线(IR)、近场通信(NFC)、蓝牙及其衍生物，以及经指定为3G、4G、5G及超过5G之任何其它无线协议。计算装置1600可包含多个通信逻辑单元1608。例如，第一通信逻辑单元1608可专用于较短距离的无线通信，例如Wi-Fi、NFC及蓝牙，而第二通信逻辑单元1608可专用于较长距离的无线通信，例如，GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO等。

处理器1604(在本文中也被称为“处理装置”)可是指处理来自寄存器及/或存储器的电子数据以将所述电子数据转换成可存储在寄存器及/或存储器中的其它电子数据的任何装置或装置的一部分。处理器1604表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元等。更特定来说，处理器1604可为复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器或者实施其它指令集的处理器或实施若干指令集的组合的若干处理器。处理器1604也可为一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器等等。

在各种实施例中，计算装置1600可为膝上型计算机、上网本计算机、笔记本计算机、超极本计算机、智能电话、非智能电话、平板，平板/膝上型计算机混合产品、个人数字助理(PDA)、超级移动PC、移动电话、台式计算机、服务器、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、数码相机、便携式音乐播放器或数字录像机。在其它实施例中，计算装置1600可为处理数据的任何其它电子装置。

已在计算机存储器内的算法及数据位的操作的符号表示的形式来呈现前面的详细描述的一些部分。这些算法描述及表示为由所属数据处理领域的技术人员用于以向所属领域的其它技术人员传达其工作的本质的方式。算法此处且通常被认为导致所要结果的自洽操作序列。操作为需要物理操纵物理量的操作。通常，但非必需地，这些量可采取能够存储、组合、比较或以其它方式操纵的电或磁信号的形式。将这些信号称作位、值、元素、符号、字符、项、数字等等有时已证明是便利的(主要出于共用的原因)。

然而，应记住，所有这些术语及类似术语均与适当的物理量相关联，且仅作为应用于这些量的方便标签。本公开可是指计算机系统或类似电子计算装置的动作及过程，其将表示为计算机系统的寄存器及存储器内的物理(电子)量的数据操纵及变换为类似地表示为计算机系统存储器或寄存器或其它此类信息存储系统内的物理量的其它数据。

本公开还涉及用于执行本文中操作的设备。此设备可为特定目的而专门构造，或其可包含由存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。此计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中，例如但不限于任何类型的磁盘，包含软盘、光盘、CD-ROM及磁光盘，只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROM、EEPROM、磁或光卡，或适用于存储电子指令的任何类型的媒体，每一者都耦合到计算机系统总线。

本发明中所呈现的算法或操作并不固有地与任何特定计算机或其它设备有关。根据本文中的教示，各种通用系统可与程序一起使用，或可证明构造更专用设备以执行所述方法为方便的。各种这些系统的结构将如下文描述中所述。另外，不参考任何特定编程语言描述本公开。应了解，可使用各种编程语言来实施如本文中所描述的本公开的教示。

本公开可经提供作为计算机程序产品或软件，其可包含机器可读媒体，具有存储于其上的指令，所述指令可用于对计算机系统(或其它电子装置)进行编程以根据本公开执行处理。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机制。在一些实施例中，机器可读(例如，计算机可读)媒体包含机器(例如，计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁性磁盘存储媒体、光存储媒体、快闪存储器组件等。

词语“实例”或“示范性”在这里中用于意指“使用实例，情况或说明”。在本文中描述为“实例”或“示范性”的任何方面或设计未必应视为比其它方面或设计优选或有利。确切地说，使用词语“实例”或“示范性”的目的是以具体的方式提出概念。如在本申请案中所使用，术语“或”打算意指包含性“或”而非互斥“或”。也就是说，除非另有规定，或从上下文明确，“X包含A或B”打算意指自然包含性排列中的任一个。也就是说，如果X包含A；X包含B；或X包含A及B两者，那么在前述情况中的任一个下满足“X包含A或B”。另外，除非另有规定或从上下文明确是针对单数形式，否则如本申请案及随附权利要求书中所使用的冠词“一(a)”及“一(an)”通常应解释为意指“一或多个”。此外，在全文中使用术语“实施例”或“一个实施例”或“实施方案”或“一个实施方式”等可或可不表示相同的实施例或实施方案。本文中所描述的一或多个实施例或实施方案可以组合在特定实施例或实施方案中。如本文中所使用，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等意指作为区分不同元件的标记，且可不必具有根据其数字指定的序数含义。

如本文中所使用的，术语“在…上方”、“在…上面”、“在…下方”、“在…之间”及“在…上”是指一种材料层或组件相对于其它层或组件的相对位置。例如，安置在另一层上面或上方或下方的一层可与另一层直接接触，或可具有一或多个中间层。此外，安置在两个层之间的一层可与两个层直接接触，或可具有一或多个中间层。相反，在第二层“上”的第一层与所述第二层直接接触。类似地，除非另有明确说明，否则安置在两个特征之间的一个特征可与相邻特征直接接触或可具有一或多个中间层。

在上述说明书中，本公开的实施例已参考其特定实例实施例进行描述。显而易见的是，在不脱离所附权利要求书中所阐明的本公开的实施例的更广泛的精神及范围的情况下，可对其进行各种修改。因此，说明书及图式应考虑说明性而非限制性。