近红外单光子雪崩二极管探测器及制作方法

摘要

本发明公开了一种近红外单光子雪崩二极管探测器：在p型衬底(10)中设有p型埋层(6)和重掺杂n型埋层(2)，利用p型埋层(6)和重掺杂n型埋层(2)之间的PN结来形成深的雪崩区，提高SPAD器件对近红外光子的探测效率。而且雪崩区位置距离器件表面很远，表面缺陷对雪崩区的影响很小，降低了器件的暗计数，提高了器件对光子探测的准确性。该SPAD器件可作为近红外单光子激光雷达的探测器件，应用于智能汽车自动驾驶，人脸识别和三维成像等领域。本发明还提供了近红外单光子雪崩二极管探测器的制作方法。