公开/公告号CN113265238A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 首都师范大学;
申请/专利号CN202110520477.2
申请日2021-05-13
分类号C09K11/02(20060101);C09K11/68(20060101);G02B5/00(20060101);B22F1/00(20060101);B22F9/24(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构11543 北京八月瓜知识产权代理有限公司;
代理人李斌
地址 100048 北京市海淀区西三环北路105号
入库时间 2023-06-19 12:16:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-27
授权
发明专利权授予
机译: MoS2 / MoS2 /碳纳米复合材料的制备方法
机译: ZnO纳米线的场发射特性的增强方法和ZnO纳米线通过施加直流电压来增强器件的场发射特性的方法
机译: 具有增强的场发射性能的Zno纳米线的制备方法以及通过使用DC电压使用Zno纳米线增强设备的场发射性能的方法