一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器

摘要

本发明公开一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器，涉及辐射探测或弱光探测技术领域，以解决探测器探测效率低的问题。所述雪崩光电二极管包括衬底和入射光抗反射层，衬底包括多个掺杂区，掺杂区是在衬底掺入杂质离子所形成的，掺杂区包括光线入射端P型重掺杂区、N型重掺杂区、P型重掺杂区、P型掺杂区和P型低掺杂区。所述光电倍增管探测器包括多个雪崩光电二极管单元，多个雪崩光电二极管单元并联连接，每一雪崩光电二极管单元均包括淬灭电阻和上述技术方案所涉及的雪崩光电二极管，雪崩光电二极管和淬灭电阻串联连接。本发明提供的雪崩光电二极管和光电倍增管探测器用于辐射探测或弱光探测中。