在存储器阵列中用于存储单元编程状态验证的升高的位线

摘要

在根据本说明书的编程状态验证的一个方面中，通过在预充电子间隔期间将非零偏移或增量值ΔV施加到非目标存储单元的位线来各自升高非目标存储单元的位线上的电压电平。施加到目标存储单元位线的位线验证电压使得位线的电压从升高的ΔV值斜升。因此，从初始值(其是较高的或升高的ΔV值)开始，在预充电子间隔期间，位线电压更快地斜升到位线验证电压电平，以提高系统性能。另外，在预充电子间隔期间，施加到目标存储单元位线的位线验证电压可以处于相对较高的值，以维持编程状态验证的准确性。