法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-04
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):G02F 1/35 专利申请号:2021104963484 申请公布日:20210810
发明专利申请公布后的撤回
机译: 在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法降低金属间介电层的寄生电容的同时降低特性,同时减小p的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法
机译: 包含其应用于在掺杂有至少一种导电材料的至少一种导电特性的金属的金属层中的半导体材料本体的一部分的半导体器件的制造方法和金属层,以调节半导电体的一部分中的不同活化剂原子,调节金属层并将其从外部连接到金属层。
机译: 具有电介质芯的金属波导,该金属波导设置在基板的非平面或不规则表面上