一种快恢复芯片的制造方法、制造设备和快恢复芯片

摘要

本申请公开了一种快恢复芯片的制造方法、制造设备和快恢复芯片，所述制造方法包括步骤：使用磷源对硅片进行磷扩散，以在所述硅片的至少一面形成磷扩散结构层；去除所述硅片的其中一面的所述磷扩散结构层；使用硼源对所述硅片进行硼扩散，以在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成硼扩散结构层；对所述硼扩散结构层的表面进行抛光处理，以形成第一抛光面；使用铂源在所述第一抛光面进行铂扩散，以在所述第一抛光面上形成铂扩散结构层；采用经过所述铂扩散后的硅片制备得到快恢复芯片；通过在铂扩散前形成抛光面，使得铂扩散更加均匀，防止铂分布不均匀破坏硅片的原来结构，同时提高芯片的恢复特性。