公开/公告号CN113201720A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-03
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院兰州化学物理研究所;
申请/专利号CN202110538498.7
申请日2021-05-18
分类号C23C14/48(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/06(20060101);
代理机构62201 兰州智和专利代理事务所(普通合伙);
代理人张英荷
地址 730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号
入库时间 2023-06-19 12:05:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-14
授权
发明专利权授予
机译: 一种使用spt装置评估原位承载力和沉降的方法以及一种原位测量承载力和沉降的设备
机译: 使用高注入表面光电压对经受高能(MEV)离子注入的半导体衬底进行无源光学表征的方法和设备
机译: 使用高注入表面光电压对经受高能(MEV)离子注入的半导体衬底进行无源光学表征的方法和设备