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公开/公告号CN113187840A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-30
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工程大学;
申请/专利号CN202110572720.5
发明设计人 吴志静;孙朋;温舒瑞;李凤明;
申请日2021-05-25
分类号F16F7/00(20060101);G10K11/162(20060101);
代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;
代理人牟永林
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号
入库时间 2023-06-19 12:04:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-13
授权
发明专利权授予
机译: 具有受控带隙声子晶体结构的声学装置的制造方法
机译: 具有受控带隙声子晶体结构的包含锥形夹杂物的声学装置的制造方法
机译: 带薄膜传感器的带隙栅电荷流晶体管,在带隙栅内具有两种导电模式,用于感应周围环境的特性
机译:具有正方形和三角形晶格的二维声子晶体上的局部共振声子晶体带隙分析
机译:具有局部共振结构的二维声子晶体微腔的带隙特性研究
机译:具有两个内周期结构的一维杆状声子晶体的弹性带隙
机译:声子晶体的带隙工程和声子准晶体的能隙结构研究。
机译:二维多散射声子晶体结构的带隙和传输特性分析
机译:具有完整声子的准二维光机械晶体 带隙
机译:非线性声子周期结构与颗粒晶体。