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一种具有双级带隙特性的二维声子晶体周期结构

摘要

一种具有双级带隙特性的二维声子晶体周期结构,属于降噪减振领域,本发明提供一种具有双级带隙特性的二维声子晶体周期结构,双级结构中的每一级在高频和低频处都可以产生带隙,所谓的双级的第一级为多个单个胞元组合形成的规律排列,第二级为单个胞元内部不同截面的杆形成的,两级周期都可以产生带隙为本申请所要保护结构的独特之处,本发明提供的周期结构可以用于减振降噪,利用声子晶体的带隙特性可以阻止特定频率范围内弹性波或声波的传播,达到减振目的,与传统设计的同样框架结构相比,本发明质量小,并且形成带隙的范围宽,能够对更大频率范围内的弹性波或声波的传播进行抑制。

著录项

  • 公开/公告号CN113187840A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工程大学;

    申请/专利号CN202110572720.5

  • 发明设计人 吴志静;孙朋;温舒瑞;李凤明;

    申请日2021-05-25

  • 分类号F16F7/00(20060101);G10K11/162(20060101);

  • 代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人牟永林

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号

  • 入库时间 2023-06-19 12:04:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-13

    授权

    发明专利权授予

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