硅晶片的极低氧浓度测定方法

摘要

本发明提供使用FT‑IR简便地、灵敏地测定硅晶片中的间隙氧浓度的方法。单晶硅晶片中的小于1.0×1016atoms/cm3的极低氧浓度的测定方法，其具有：在测定晶片、无间隙氧的参考晶片和间隙氧浓度已知的标准晶片上分别形成规定厚度的SiO2膜、氮化膜或PE膜的步骤1、测定步骤1中得到的测定晶片、参考晶片和标准晶片的IR光谱的步骤2、由测定晶片的IR光谱和参考晶片的IR光谱求出差光谱(透射谱)，求出对应于间隙氧的吸収峰的强度的步骤3、对比该间隙氧的峰强度和标准晶片的IR光谱的间隙氧的峰强度，由与标准晶片的间隙氧浓度之比算出测定晶片中的间隙氧浓度的步骤4。