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一种纳米级和亚微米级金属粉体的制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米级和亚微米级金属粉体的制备方法,包括步骤:步骤S1,提供一第一混合物,第一混合物包括纳米级高纯硅粉体、金属化合物和一辅助试剂;步骤S2,提供一研磨工艺处理第一混合物,得到一第一粉体;步骤S3,提供一烧结工艺处理第一粉体,得到一第二混合物;步骤S4,除去第二混合物中的多余的硅和/或硅化合物,得到一第二粉体;步骤S5,洗涤烘干第二粉体,得到纳米和亚微米级金属粉体。本发明将高还原性的纳米硅应用于纳米级和亚微米级金属粉体的制备,提供一种成本低、产量高的纳米级和亚微米级金属粉体的制备方法。

著录项

  • 公开/公告号CN113118450A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 拓米(成都)应用技术研究院有限公司;

    申请/专利号CN201911415090.X

  • 发明设计人 喻维杰;张锡强;赵常;

    申请日2019-12-31

  • 分类号B22F9/20(20060101);B22F1/00(20060101);

  • 代理机构31272 上海申新律师事务所;

  • 代理人郎祺

  • 地址 610000 四川省成都市郫都区德源镇(菁蓉镇)创客公园二期7号楼

  • 入库时间 2023-06-19 11:54:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-05-30

    授权

    发明专利权授予

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