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公开/公告号CN113121223A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 上海大学;
申请/专利号CN202110535605.0
发明设计人 程晋荣;翟健;陆文慧;陈建国;
申请日2021-05-17
分类号C04B35/491(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/624(20060101);
代理机构31253 上海精晟知识产权代理有限公司;
代理人肖爱华
地址 200444 上海市宝山区上大路99号
入库时间 2023-06-19 11:54:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-02-17
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L41/187 专利申请号:2021105356050 申请公布日:20210716
发明专利申请公布后的视为撤回
机译: 具有高临界电流密度的钇钡铜氧超导体及其晶体和制备方法
机译: 基于钇-钡-铜-氧型金属氧化物的高温超导体的制备方法
机译:薄膜钇钡铜氧的基础上的结构的特征的环状退火静态的效果和高频
机译:分析阳极和电解阴极产品的系统钇钡铜氧和钇钡铜-K-O
机译:离子束辅助沉积TiN缓冲柔性哈氏合金上外延BiFeO_3-BiMnO_3薄膜的铁电和铁磁性能
机译:具有ITO缓冲层的Si衬底上PZT和PLZT薄膜的铁电性能
机译:钇(1)钡(2)铜(3)氧(7-x)超导体薄膜中的膜-基底相互作用,沉积在氧化物和碱土金属氟化物基底上。
机译:SiGe和GaAs衬底上铁电BaTiO3薄膜的分子束外延研究及其应用
机译:钇-钡-铜-氧化物和铋-锶-钙-铜-氧化物超导薄膜的喷雾热解工艺
机译:化学气相沉积钇钡(2)铜(3)氧(x)薄膜用于电线应用。