采用真空蒸发镀膜可控制备非晶柔性Bi-Te-Se膜的方法

摘要

本发明涉及一种采用真空蒸发镀膜可控制备非晶柔性Bi‑Te‑Se膜的方法，步骤如下：(1)将质量百分比纯度为99.99％的Bi2Te2.7Se0.3粉末在3～5MPa压力下压制成块体；(2)柔性基底在无水乙醇和去离子水中分别超声清洗5～10min后取出，用氮气吹干；(3)将0.1～0.2g的Bi2Te2.7Se0.3材料压制成的块体放入真空镀膜机的真空室钨舟中，调节基底与钨舟的距离d＝8～11cm；(4)向真空室内充入2～8min氮气后停止，随后抽真空；(5)在PID控制器上设定沉积速率40～75nm/min，沉积时间40～60min；(6)开启交流电源，调节输出电流170～185A；打开样品台自转25～30r/min；在基底上沉积制备非晶柔性Bi2Te2.7Se0.3膜；(7)制备完毕。本发明方法简单、新颖，生产环境、反应条件宽松，具有非常显著的实用价值和经济效益。