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公开/公告号CN113130736A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 TDK株式会社;
申请/专利号CN202110338414.5
发明设计人 佐佐木智生;盐川阳平;
申请日2017-10-24
分类号H01L43/08(20060101);H01L27/22(20060101);
代理机构11322 北京尚诚知识产权代理有限公司;
代理人杨琦;陈明霞
地址 日本东京都
入库时间 2023-06-19 11:52:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-09-12
授权
发明专利权授予
机译: 自旋转矩型磁化反转元件,磁存储器和高频磁器件
机译: 自旋电流磁化反转元件,自旋轨道转矩型磁阻效应元件和磁存储器
机译:通过自旋轨道转矩通过电场控制磁化反转的自旋逻辑器件
机译:开发了东北大学等新型结构的磁存储元件,并演示了自旋轨道转矩磁化反转的第三种方法的操作。
机译:自旋转矩磁化反转及其在磁性隧道结元件中的应用
机译:垂直磁化纳米磁体中的自旋轨道转矩使磁化反转:微磁研究
机译:纳米级磁性隧道结中自旋转矩驱动的磁化动力学。
机译:焦耳热和自旋轨道转矩在直流感应磁化反转中的作用
机译:磁绝缘子的电流感应自旋转矩共振受类似场的自旋轨道转矩和面外磁化强度的影响
机译:薄铁磁薄膜磁化反转中的自旋波效应