公开/公告号CN113113463A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-13
原文格式PDF
申请/专利权人 张清纯;
申请/专利号CN202010032137.0
发明设计人 不公告发明人;
申请日2020-01-13
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/872(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/265(20060101);H01L21/266(20060101);
代理机构11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司;
代理人罗啸
地址 上海市杨浦区国权北路1450弄23楼1404
入库时间 2023-06-19 11:49:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-06
著录事项变更 IPC(主分类):H01L29/06 专利申请号:2020100321370 变更事项:申请人 变更前:清纯半导体(上海)有限公司 变更后:清纯半导体(宁波)有限公司 变更事项:地址 变更前:200441 上海市宝山区逸仙路2816号1幢17层B1703室 变更后:315336 浙江省宁波市杭州湾新区玉海东路136号42#栋
著录事项变更
机译: 超级结碳化硅半导体器件及制造超级结碳化硅半导体器件的方法
机译: 超级结半导体器件的制造方法和超级结半导体器件
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET