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一种大可逆磁致应变NiCoMnSn合金的制备方法

摘要

本发明提供了一种大可逆磁致应变NiCoMnSn合金的制备方法,属于变磁性形状记忆合金技术领域。本发明对NiCoMnSn合金进行电子辐照改性,得到所述大可逆磁致应变NiCoMnSn合金。本发明提供的制备方法对NiCoMnSn合金采用电子辐射改性,对NiCoMnSn合金的表面进行辐照,引起空位的产生;由于磁交换相互作用对Mn‑Mn距离的强烈依赖性,这种晶格收缩将导致Mn‑Mn距离的减少,使得相变前后两相(母相奥氏体和马氏体相)间的磁化强度差(△M)增加,同时3d轨道杂化的增强,导致磁场对母相和马氏体界面移动的驱动力增加,这一变化有利于在较低场下获得大的磁感生应变。

著录项

  • 公开/公告号CN113088850A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN202110393878.6

  • 发明设计人 高智勇;孙思博;蔡伟;

    申请日2021-04-13

  • 分类号C22F3/00(20060101);C22C30/04(20060101);C22F1/00(20060101);C21D1/26(20060101);C21D1/30(20060101);C21D1/18(20060101);

  • 代理机构11569 北京高沃律师事务所;

  • 代理人赵琪

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2023-06-19 11:47:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-08

    授权

    发明专利权授予

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