一种栅极特征尺寸的控制方法及场效应晶体管

摘要

本申请实施例提供一种栅极特征尺寸的控制方法及场效应晶体管，应用于自对准双图案工艺，其中，所述方法包括：在栅极介质层上，依次形成至少两个隔离侧墙、包裹每一所述隔离侧墙的牺牲层、和位于所述牺牲层表面的低温氧化物层，其中，所述隔离侧墙用于定义栅极的特征尺寸；对所述低温氧化物层和所述牺牲层，依次进行刻蚀处理，以暴露出所述隔离侧墙中的目标隔离侧墙；对所述目标隔离侧墙进行减薄处理，得到减薄隔离侧墙，通过所述减薄隔离侧墙刻蚀所述栅极介质层，形成所述栅极。