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公开/公告号CN113078267A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-06
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202110327146.7
发明设计人 郑永豪;刘丽;汪泽;刘晓东;唐心雨;
申请日2021-03-26
分类号H01L51/48(20060101);H01L51/42(20060101);H01L51/46(20060101);
代理机构51229 成都正华专利代理事务所(普通合伙);
代理人李蕊
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 11:44:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-20
授权
发明专利权授予
机译: 钙钛矿光敏层的制备方法以及由此构成的钙钛矿光敏层的钙钛矿太阳能电池
机译: 二维钙钛矿稳定相纯甲钙钛矿太阳能电池和发光二极管
机译:己基鎓碘化物在有效的二维/三维钙钛矿太阳能电池中衍生二维钙钛矿作为界面钝化层
机译:三维钙钛矿La_(1/3)Sr_(2/3)FeO_3中的准二维J型自旋和p孔有序
机译:溶液加工的准二维/纳米脉冲钙钛矿复合膜增强了钙钛矿发光二极管的效率和稳定性
机译:宽带隙钙钛矿层混合溶剂和BR掺杂比对钙钛矿太阳能电池的影响
机译:三维锡和二维锡和卤化卤化卤化物钙钛矿半导体:在光伏中的合成和应用
机译:钙掺杂的有机金属卤化物钙钛矿制成的无磁滞钙钛矿太阳能电池
机译:高效铟掺杂的Tioox电子传输层,用于高性能钙钛矿太阳能电池和钙钛矿 - 硅串联
机译:用固态单晶生长(ssCG)技术开发n型和p型掺杂钙钛矿单晶。