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公开/公告号CN113062013A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中南大学;
申请/专利号CN202110280606.5
发明设计人 潘安强;万远浪;谢雪芳;
申请日2021-03-16
分类号D01F9/08(20060101);D01F1/10(20060101);H01M4/485(20100101);H01M10/0525(20100101);
代理机构43114 长沙市融智专利事务所(普通合伙);
代理人袁靖
地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
入库时间 2023-06-19 11:42:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-12
授权
发明专利权授予
机译: 双铟和镍以及钒酸铁和镍的双组分体系中的固溶体以及双铟和镍以及钒酸铁和镍的双组分体系中的固溶体的生产方法
机译: 半导体高铟掺杂的硅产品。 -通过用铟合金掺杂熔体以降低铟蒸气压并拉伸
机译:先进纳米材料的合成与表征:掺杂锡掺杂氧化铟氧化铟锡(PT / ITO)的氧化铟氧化铟(ITO)和铂
机译:掺杂铟和铈的铈酸钡基化合物的电性能,用作陶瓷燃料电池电解质
机译:含有聚吡咯装饰,独立的假偶磷酸钒氧化铟纳米氧化物和氮掺杂的石墨烯氧化物基的不对称超微涂料装置,用于功率密度应用
机译:以取向Cdse-纳米晶体掺杂铟锡氧化铟锡及其在红外探测器的应用中的二谐波产生
机译:对近藤晶格材料的掺杂作用:硅化铁,铈钴铟,铟铜。
机译:铟铈共掺杂有序介孔TiO2气凝胶复合材料的制备及其高光催化活性
机译:透明导电铟锡,钛掺杂氧化铟和氟掺杂氧化锡膜进行染料敏化太阳能电池应用的比较
机译:轻掺杂二氧化铈中的铟掺杂剂/缺陷络合物