高MTF背照TDICCD

摘要

本发明公开了一种高MTF背照TDICCD，包括光敏区、垂直转移栅、水平CCD结构、输出节点和输出放大器，光敏区的像元包括衬底、背面、CCD信道注入区、栅介质层和垂直CCD驱动栅电极,所述衬底采用高电阻率材料；所述背照TDICCD采用突发模式的工作时序，并提高该工作时序中积分阶段高电平的值，从而在垂直CCD驱动栅电极下形成深耗尽区或全耗尽区。本发明中，为了克服现有技术中背照TDICCD的MTF较低的问题，提出了使用低掺杂高电阻率衬底，同时提高积分阶段的高电平值的方式，在积分阶段消除无电场中性区，从而提高背照TDICCD的扩散MTFD，进而提升背照TDICCD的MTF。