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一种高介电低损耗钛酸钡基陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高介电低损耗钛酸钡基陶瓷,涉及电子材料技术领域。所述钛酸钡基陶瓷包括钛酸钡及所述钛酸钡中共掺杂的氧化铜和氧化铋;所述钛酸钡、氧化铜、氧化铋质量占比为(1‑x):0.5x:0.5x,其中,x取值范围为0<x≤0.7%;所述钛酸钡基陶瓷的相对密度为94.68~96.69%。本发明采用Bi2O3、CuO共掺杂,Bi2O3和CuO作为烧结助剂能有效降低BaTiO3基陶瓷的烧结温度,节约了能耗,并获得结晶度良好,晶粒尺寸均匀的陶瓷样品。

著录项

  • 公开/公告号CN113045307A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 郑州轻工业大学;

    申请/专利号CN202110368986.8

  • 申请日2021-04-06

  • 分类号C04B35/468(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/64(20060101);

  • 代理机构41176 郑州豫原知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人吴小传

  • 地址 450000 河南省郑州市高新区科学大道136号

  • 入库时间 2023-06-19 11:40:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-02

    授权

    发明专利权授予

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