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一种发光幻数纳米团簇、其制备方法及其用途

摘要

本发明属于半导体发光材料技术领域,具体涉及一种幻数纳米团簇、其制备方法及其用途。本发明提供的幻数纳米团簇是以CdS单体置换CdSe幻数纳米团簇表面的CdSe单体后形成的CdSeS幻数纳米团簇。本发明还提供上述幻数纳米团簇的制备方法及其用途。本发明的CdSeS幻数纳米团簇的发光兼具发射峰波长蓝移和高量子产率的特点,克服了现有的CdS包覆CdSe量子点材料中无法避免发射峰红移的缺陷。其作为蓝光发射材料具有很好的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN113046083A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN202110280952.3

  • 申请日2021-03-16

  • 分类号C09K11/88(20060101);B82Y30/00(20110101);

  • 代理机构51222 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张娟;郑勇力

  • 地址 610000 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

  • 入库时间 2023-06-19 11:40:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-15

    著录事项变更 IPC(主分类):C09K11/88 专利申请号:2021102809523 变更事项:发明人 变更前:朱金铭余睽刘跃辉傅敏张猛陈晓琴栾超然黄文李幼萍张伯礼 变更后:刘跃辉余睽朱金铭傅敏张猛陈晓琴栾超然黄文李幼萍张伯礼

    著录事项变更

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