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光刻和湿法刻蚀相结合制备双面随机微透镜阵列的方法

摘要

本发明提供了一种光刻和湿法刻蚀相结合制备双面随机微透镜阵列的方法,包括:设计两个图案呈镜像对称的掩模版,利用高精度激光直写技术制备设计的掩模版,在双面抛光的玻璃基材的正反两侧镀铬膜层作为湿法刻蚀的掩蔽层,将光刻胶上的图案及对准标记传递到该侧铬膜层,在此过程中需要对玻璃基材的另一侧的铬膜层进行保护,将基材放入HF溶液中进行刻蚀,在玻璃基材一侧形成随机矩形分布的微透镜阵列结构;在另一侧铬膜层表面旋涂光刻胶,利用双面曝光技术进行曝光,将掩模版上的图案传递到光刻层,再次将基材放入去铬液中使光刻胶图案转移到铬膜层;完成双面随机微透镜阵列的制备。打破微透镜阵列的周期性,消除干涉的影响获得高均匀性的匀化光斑。

著录项

  • 公开/公告号CN113031129A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院光电技术研究所;

    申请/专利号CN202110240526.7

  • 发明设计人 曹阿秀;薛莉;邓启凌;庞辉;

    申请日2021-03-04

  • 分类号G02B3/00(20060101);G03F7/20(20060101);

  • 代理机构11251 北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人杨学明

  • 地址 610209 四川省成都市双流350信箱

  • 入库时间 2023-06-19 11:35:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-12-16

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G02B 3/00 专利申请号:2021102405267 申请公布日:20210625

    发明专利申请公布后的视为撤回

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