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基于非平面结构的超宽带微波散射透波结构及制备方法

摘要

一种基于非平面结构的超宽带微波散射透波结构及制备方法,超宽带微波散射透波结构包括:非平面介质层,位于超宽带微波散射透波结构中部,包括第一介质层单元和第二介质层单元;第一导电单元,设置在第一介质层单元上;第二导电单元,设置在第二介质层单元上;以及导电层,设置在非平面介质层下表面,用于充当接地效果和对低频微波进行透射的效果。本发明通过引入两种处于不同介质层高度的散射型导电材料结构,能够进一步实现超结构的宽带低散射性能,同时对底部导电层进行部分开孔结构设计,保证了低频正常通信区,实现对入射电磁波高频散射和低频透射的效果,使整体结构同时具备宽带高频低散射防护能力和低频透射通信能力,有利于工程化应用。

著录项

  • 公开/公告号CN113036441A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN202110227011.3

  • 发明设计人 吴国璋;刘建国;赵泽平;

    申请日2021-03-01

  • 分类号H01Q15/00(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人刘歌

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-06-19 11:35:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-07-04

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01Q15/00 专利申请号:2021102270113 申请公布日:20210625

    发明专利申请公布后的驳回

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