剑兰花状硒化镍/硒化钴/二硒化三镍纳米复合阵列电极材料

摘要

本发明公开了一种剑兰花状NiSe/CoSe/Ni3Se2纳米复合阵列电极材料及其制备方法，属于超级电容器电极材料制备技术领域。通过如下步骤制备而成：将四水合乙酸钴加入到苯甲醚和甲醇的混合溶剂中，加热溶解形成混合反应液，移入反应釜中，再放入预制的Ni3Se2纳米线阵列前驱体，反应釜密封后热处理，合成兼有一维和二维结构特点的剑兰花状NiSe/CoSe/Ni3Se2纳米复合阵列电极材料。所得电极材料具有优异的电化学性能，在电流密度为0.5 A/g时的比电容可达到1666 F/g，即使在电流密度达到2.5 A/g时，其比电容仍可达到944 F/g。