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公开/公告号CN112978684A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉理工大学;
申请/专利号CN202110163967.1
发明设计人 段波;杨厚江;金笛;阮正;王洪涛;肖晨阳;李国栋;翟鹏程;
申请日2021-02-05
分类号C01B19/00(20060101);H01L35/16(20060101);H01L35/34(20060101);
代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;
代理人张秋燕
地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
入库时间 2023-06-19 11:30:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-07-04
授权
发明专利权授予
机译: P型方钴矿热电材料,其制备方法以及包括其的热电装置
机译: 使用填充方钴矿基合金的热电半导体合金的制造方法,热电转换模块,热电发电装置,稀土合金,其制造方法,热电转换材料以及热电转换系统
机译:纳米级InSb的晶界工程产生高性能InxCeyCo4Sb12 + z方钴矿热电材料
机译:高性能n型热电材料基于CoSb3的方钴矿中填充元素的优化
机译:高性能n型Yb x i> sub> Co 4 sub> Sb 12 sub>:从部分填充的方钴矿到复合热电材料
机译:钡填充方钴矿:高性能n型热电材料
机译:超出填充分数限制:一种增强填充的Co4Sb12方钴矿的热电性能的方法。
机译:熔纺方钴矿基热电材料的微观结构演变和力学性能
机译:纳米级Insb晶界工程生产高性能InxCeyCo4sb12 + z方钴矿热电材料
机译:具有填充方钴矿结构的热电材料用于热电装置