一种可控硅单火线取电红外智能调光器

摘要

本发明公开并提供了一种可控硅单火线取电红外智能调光器。它包括单火线输入（1）、桥式整流（2）、LDO电源电路（3）、过零点检测（4）、切相调光（5）、过功率保护（6）、输入设备（7）、单火线输出（8）、红外接收电路（9）、亮度指示灯电路（10）、最小亮度设置（11）、选择前沿切相或者后沿切相（12）、单片机最小系统（13），本发明可通过红外接收电路接收外部数据或者输入设备的输入数据进行智能控制，能自动识别并适应50HZ或者60HZ的交流电，可通过外置的模块选择前沿切相调光或者后沿切相调光,可设置最小亮度值,通过指示灯显示当前的亮度百分比等,具有较佳的技术性和实用性。

说明书

技术领域

本发明涉及单火线取电、前后沿智能切相和红外控制可控硅调光的控制技术, 具体涉及一种单火线取电维持整个调光器的供电,可选择前沿切相或者后沿切相调光,更好的兼容更多的调光电源和红外控制MOSFET或者IGBT管代替可控硅调光的可控硅单火线取电红外智能调光器。

背景技术

目前，由于国内外传统机械墙壁开关盒大多只有一根火线而没有零线，随着LED照明领域技术的发展，在家庭照明或者商业照明实现智能改造时往往要求新智能调光器能直接代换旧有的机械墙壁开关，更换时无需重新布线，为此新型智能调光器采用了单火线取电方式。

利用可控硅取电和控制有发热量大, 取电效率低, 只能进行前沿切相调光，且对于可调灯具的兼容性不够好; MOSFET或者IGBT管取电效率比可控硅效率有所提高,发热量比可控硅有所降低,同时可以适应前沿切相或者后沿切相控制,更好的兼容更多的可调灯具。

大多数调光器只能对50HZ或者单独的对60HZ的交流电进行切相调光,没有自适应的匹配50HZ或者60HZ的交流电,而且大多数单火线调光器都采用电位器旋转的方式或者普通开关的方式,故不能做到智能调光。

综上所述，目前市面上大多数可控硅调光器产品都不能直接做到单火线取电、无线控制调光，所以本发明提供一种单火线取电,可设置前沿切相或者后沿切相,用MOSFET或者IGBT管代替可控硅来进行切相调光,支持红外智能控制,自动识别50HZ或者60HZ的交流电进行智能控制,可显示当前亮度百分比状态和最小亮度设置的一种可控硅单火线取电红外智能调光器。

发明内容

本发明所要解决的问提是克服现有技术的不足，提供一种可控硅单火线取电红外智能调光器。

本发明所采用的技术方案是：一种可控硅单火线取电红外智能调光器，它包括单火线输入、桥式整流、LDO电源电路、过零点检测、切相调光、过功率保护、输入设备、单火线输出、红外接收电路、亮度显示电路、最小亮度设置、选择前沿切相或者后沿切相、单片机最小系统，所述单火线输入连接所述桥式整流，所述桥式整流连接所述LDO电源电路、过零点检测、切相调光，所述LDO电源电路连接所述过功率保护、输入设备、红外接收电路、亮度指示灯、最小亮度设置、选择前沿切相或者后沿切相、单片机最小系统，所述切相调光连接所述单火线输出，所述单片机最小系统分别连接所述过零点检测、切相调光、过功率保护、输入设备、红外接收电路、亮度显示电路、最小亮度设置、选择前沿切相或者后沿切相。

所述单火线输入、单火线输出均适用于50HZ或者60HZ的交流电，所述整流桥包括整流堆或者二极管，可将所述50HZ或者60HZ的交流电从正弦波转换成馒头波，所述桥式整流包括整流堆或者二极管，所述LDO电源电路包括集成的LDO芯片或者分立元件实现的LDO功能，所述过零点检测包括高低电平或者ADC检测，所述切相调光包括MOS或者IGBT，所述过功率保护包括高低电平或者ADC检测，所述输入设备包括按键模组或触控模组，所述选择前沿切相或者后沿切相包括拨码开关或者电位器，最小亮度设置包括旋转拨码器或者电位器，所述亮度指示灯包括发光二极管，所述红外接收电路包括红外接收一体头或者红外接收二极管组成的分立电路，所述单片机最小系统检测输入设备或者红外接收来进行切相调光。

本发明的有益效果是：由于本发明它包括单火线输入、桥式整流、LDO电源电路、过零点检测、切相调光、过功率保护、输入设备、单火线输出、红外接收电路、亮度显示电路、最小亮度设置、选择前沿切相或者后沿切相、单片机最小系统，所以本发明可通过红外接收电路接收外部数据或者输入设备的输入数据进行智能控制，能自动识别并适应50HZ或者60HZ的交流电，可通过外置的模块选择前沿切相调光或者后沿切相调光,可通过设置最小亮度值,通过指示灯显示当前的亮度百分比等,具有较佳的技术性和实用性。

附图说明

图1是本发明电路结构方框示意图；

图2是本发明的单火线输入电路原理示意图；

图3是本发明的桥式整流电路原理示意图；

图4是本发明的LDO电源电路原理示意图；

图5是本发明的过零点检测电路原理示意图；

图6是本发明的切相调光电路原理示意图；

图7是本发明的过功率保护电路原理示意图；

图8是本发明的输入设备电路原理示意图

图9是本发明的单火线输出电路原理示意图；

图10是本发明的红外接收电路原理示意图；

图11是本发明的亮度指示灯电路原理示意图；

图12是本发明的最小亮度设置电路原理示意图；

图13是本发明的选择前沿切相或者后沿切相电路原理示意图；

图14是本发明的单片机最小系统电路原理示意图。

具体实施方式

如图1至图14所示，一种可控硅单火线取电红外智能调光器，它包括单火线输入1、桥式整流2、LDO电源电路3、过零点检测4、切相调光5、过功率保护6、输入设备7、单火线输出8、红外接收电路9、亮度指示灯电路10、最小亮度设置11、选择前沿切相或者后沿切相12、单片机最小系统13，所述单火线输入1连接所述桥式整流2，所述桥式整流2连接所述LDO电源电路3、过零点检测4、切相调光5，所述LDO电源电路3连接所述过功率保护6、输入设备7、红外接收电路9、亮度指示灯10、最小亮度设置11、选择前沿切相或者后沿切相12、单片机最小系统13，所述切相调光5连接所述单火线输出8，所述单片机最小系统13分别连接所述过零点检测4、切相调光5、过功率保护6、输入设备7、红外接收电路9、亮度显示电路10、最小亮度设置11、选择前沿切相或者后沿切相12。

所述桥式整流2包括整流堆或者二极管，所述LDO电源电路3包括集成的LDO芯片或者分立元件实现的LDO功能，所述过零点检测4包括高低电平或者ADC检测，所述切相调光5包括MOS或者IGBT，所述过功率保护6包括高低电平或者ADC检测，所述输入设备7包括按键模组或触控模组，所述选择前沿切相或者后沿切相12包括拨码开关或者电位器，最小亮度设置11包括旋转拨码器或者电位器，所述亮度指示灯10包括发光二极管，所述红外接收电路9包括红外接收一体头或者红外接收二极管组成的分立电路，所述单片机最小系统13检测输入设备或者红外接收来进行切相调光。

本实施例中结合附图1，对本申请方案作进一步描述：

一种可控硅单火线取电红外智能调光器，其包括：单火线输入1;用于把AC输入变成馒头波的桥式整流2;用于稳定输出电压的LDO电源电路3;用于识别频率和过零点检测4;用于驱动MOS或者IGBT管的切相调光5;用于整机的过功率保护6;用于获取操作输入的输入设备7;用于单火线输出8;用于智能调光的红外接收电路9;用于指示当前亮度比的亮度指示灯10;用于最小亮度设置11;用于选择前沿切相或者后沿切相12;用于控制和数据处理的单片机最小系统13；

所述单火线输入1经桥式整流2后分别连接到LDO电源电路3分别连接过零点检测4、切相调光5，所述切相调光5跟单火线输出相连接;

所述LDO电源电路3分别跟过零点检测4、切相调光5、过功率保护6、输入设备7、红外接收电路9、亮度指示灯10、最小亮度设置11、选择前沿切相或者后沿切相12、单片机最小系统13相连接；具体是,所述单火线输入1得到馒头波给LDO电源电路3得到一个稳定的电压,提供给过功率保护6、输入设备7、红外接收电路9、亮度指示灯10、最小亮度设置11、选择前沿切相或者后沿切相12、单片机最小系统13供电；

所述单片机最小系统13分别跟过零点检测4、切相调光5、过功率保护6、输入设备7、红外接收电路9、亮度指示灯10、最小亮度设置11、选择前沿切相或者后沿切相12相连接；

所述过零点检测4通过桥式整流2出来的信号来进行频率的识别和切相调光5控制;

所述切相调光5通过输入设备7或者红外接收电路9智能控制信号给单片机最小系统13,从而控制切相调光5;

所述过功率保护6通过单片机最小系统13控制切相调光5后发现负载过大,从而输出信号给单片机最小系统13做为保护;

所述输入设备7可通过亮度指示灯10可选择短按开关灯,亮度加和亮度减的微调,长按实现亮度加减的粗调;

所述红外接收电路9可通过亮度指示灯10可选择短按开关灯,亮度加和亮度减的微调,长按实现亮度加减的粗调;

所述亮度指示灯10可根据当前的亮度值指示当前的亮度百分比;

所述最小亮度设置11做为可控硅单火线取电红外智能调光器的初始亮度值;

所述选择前沿切相或者后沿切相12为了兼容多种电源;

当通过操作所述输入设备7去控制所述单片机最小系统13的底层来实现对所述切相调光5进行控制,同时根据所述选择前沿切相或者后沿切相12选择前沿切相或者后沿切相,并且根据当前的亮度值显示所述亮度指示灯10做为当前亮度值的状态。

当红外接收电路9接收到数据后去智能控制所述单片机最小系统13的底层来实现对所述切相调光5进行控制,同时根据所述选择前沿切相或者后沿切相12选择前沿切相或者后沿切相,并且根据当前的亮度值显示所述亮度指示灯10做为当前亮度值的状态。

上述优选实施方式应视为本申请方案实施方式的举例说明，凡与本申请方案雷同、近似或以此为基础作出的技术推演、替换、改进等，均应视为本专利的保护范围。