包含在分接头的有源区域下方的阱边界的方法及设备

摘要

本发明公开设备及方法。一种此设备包含形成于具有第二导电类型的半导体主体内的具有第一导电类型的阱。所述阱在延伸到所述半导体主体中的沟槽的拐角处或其上方形成p‑n结。所述阱的边界具有可基本上在到所述阱的分接头的有源区域的边缘下方的边缘。