首页> 中国专利> 一种Cu-MoNbTaVW难熔高熵合金双连续结构材料及其制备方法

一种Cu-MoNbTaVW难熔高熵合金双连续结构材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Cu‑MoNbTaVW难熔高熵合金双连续结构材料及其制备方法,属于双连续结构材料和高熵合金制备技术领域。该Cu‑MoNbTaVW难熔高熵合金双连续结构材料中的双连续相分别为Cu相和MoNbTaVW难熔高熵合金相,这两相各自在整个三维空间中各自连续并相互贯穿呈网络状结构。所述双连续结构材料的制备为:将前驱体母合金AxM1‑x浸入液态Cu熔体中进行脱合金腐蚀反应,生成MoNbTaVW难熔高熵合金多孔相,然后将难熔高熵合金多孔相及其孔道中的液态Cu熔体一起凝固,从而获得Cu‑MoNbTaVW难熔高熵合金双连续结构材料。本发明制备的双连续结构材料,组织致密,相与相之间界面结合良好。

著录项

  • 公开/公告号CN112941356A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院金属研究所;

    申请/专利号CN201911258184.0

  • 发明设计人 邵军超;金海军;

    申请日2019-12-10

  • 分类号C22C1/10(20060101);C22C1/02(20060101);B22D23/04(20060101);C22C1/08(20060101);C22C9/00(20060101);C22C30/02(20060101);

  • 代理机构21002 沈阳科苑专利商标代理有限公司;

  • 代理人于晓波

  • 地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

  • 入库时间 2023-06-19 11:22:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-05

    授权

    发明专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号