一种低氮高纯碳化硅粉料合成的方法

摘要

本发明公开了一种低氮高纯碳化硅粉料合成的方法，涉及碳化硅合成技术领域；具体是将原料粉体装在有排气孔的坩埚内，将坩埚置于炉中，将炉腔抽真空后升温；之后向炉腔中注入高纯H2至750‑850mbar，然后抽真空至4.5×10‑6‑5.5×10‑6mbar；重复多次后将炉腔升温并将高纯Ar与H2以流量比9‑10.5:1注入炉腔，进行合成反应和转化合成反应，结束后在Ar与H2的保护下降温至室温；本发明可有效降低粉料合成过程中的氮浓度，提升粉料纯度；有效避免混合原料在粉料合成过程中逸出坩埚，提升粉料的反应效率。