基底上大面积形成二维硫化镉的方法与结构

摘要

本发明涉及一种基底上大面积形成二维硫化镉的方法与结构，方法包括:制备有机镉盐溶液;提供两相体系溶剂，上层为非极性溶剂层，下层为极性溶剂层;有机镉盐溶液的混入使有机镉盐聚集于非极性溶剂层与极性溶剂层的界面处;硫前驱体溶液溶入下层极性溶剂层;蒸发上层非极性溶剂层，使界面处的有机镉盐随非极性溶剂层体积减小而聚集成膜，漂浮于极性溶剂层的液面，并与极性溶剂层中的硫离子反应，以生成二维硫化镉膜层;二维硫化镉膜层沾附于基底的表面上。本发明具有制作超薄纳米级二维硫化镉膜层或/与在任意基底上低成本制备大面积二维硫化镉的效果，具有省时、节能，绿色环保、制备成本低和易于大规模工业化生产等优势。