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公开/公告号CN112909174A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;
申请/专利号CN202110079755.5
发明设计人 韩宏伟;梅安意;
申请日2021-01-21
分类号H01L51/42(20060101);H01L51/46(20060101);H01L51/50(20060101);H01L51/54(20060101);
代理机构42201 华中科技大学专利中心;
代理人尹丽媛;李智
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2023-06-19 11:14:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-19
授权
发明专利权授予
机译: 基于钙钛矿导体掺杂钙钛矿绝缘体半导体组成的电阻切换存储器
机译: 用于制备和掺杂半导体表面的掺杂混合物,包括用于掺杂半导体表面的p型或n型掺杂剂,水和两种或多种表面活性剂的混合物,其中一种表面活性剂是非离子型表面活性剂
机译: 掺杂金属卤化物钙钛矿具有改进的稳定性和含有它的太阳能电池
机译:Fe掺杂的p型半导体钙钛矿SrTiO_3薄膜中晶界对碳氢化合物传感的影响
机译:Dy中心的形成为八面体半导体中的n型限制缺陷:双掺杂杂交卤化物钙钛矿的情况
机译:介绍锰掺杂铅卤化物钙钛矿量子点:简单合成,说明半导体的光电性能
机译:混合金属卤化物钙钛矿光伏的p型层工程
机译:钴掺杂的锐钛矿型二氧化钛和钙钛矿型钛酸锶锶作为潜在的稀磁半导体的材料和磁性研究。
机译:钙掺杂的有机金属卤化物钙钛矿制成的无磁滞钙钛矿太阳能电池
机译:Fe掺杂的p型半导体钙钛矿SrTiO3薄膜中晶界对碳氢化合物感测的影响
机译:用固态单晶生长(ssCG)技术开发n型和p型掺杂钙钛矿单晶。