PbCl2掺杂的CH3NH3PbBr3微米单晶的合成方法

摘要

钙钛矿材料中载流子迁移率，寿命和扩散长度是直接影响其在光伏产业应用关键制约因素。钙钛矿材料中存在缺陷是降低光电性能的一个重要因素。因此，明确缺陷密度与载流子迁移率，载流子寿命和载流子扩散长度之间的关系至关重要。本文通过使用不同量的PbCl2掺杂合成CH3NH3PbBr3微米线和微米片单晶，使得载流子寿命从17ns增加到1μs。说明通过掺杂大大提高了钙钛矿微米棒和微米片单晶质量。通过定点激发荧光成像测得不同掺杂浓度的单晶中载流子迁移率几乎保持不变，尽管缺陷密度差了两个数量级，直接证明载流子迁移率与缺陷密度无关。从而得出如果想改善器件的性能，应从降低缺陷密度入手。此项发现对改善基于钙钛矿材料的光电器件有重要指导作用。