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公开/公告号CN112857194A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-28
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆理工大学;
申请/专利号CN202110085416.8
发明设计人 武亮;王鑫达;汤其富;陈锡侯;徐是;郑方燕;童鹏;
申请日2021-01-22
分类号G01B7/02(20060101);
代理机构50123 重庆华科专利事务所;
代理人唐锡娇
地址 400054 重庆市巴南区李家沱红光大道69号
入库时间 2023-06-19 11:08:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-16
授权
发明专利权授予
机译: 基于电场的平面的平面二维时间光栅位移传感器
机译: 基于电场的二维平面时间网格位移传感器
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机译:对于 磁 板 鉴定 一种新型 电涡流 法 的 消除 提离 效应
机译:线热源下流体和热电两相平面基于二维格林函数的界面效应研究
机译:包含MOS侧面二维效应的平面门IGBT的基于物理的模型
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机译:绝缘平面二维流动中的霍尔效应