公开/公告号CN112858753A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-28
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技奥地利有限公司;
申请/专利号CN202011353661.4
发明设计人 P·卡斯图里;
申请日2020-11-27
分类号G01R19/00(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人黄倩
地址 奥地利菲拉赫
入库时间 2023-06-19 11:08:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-16
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R19/00 专利申请号:2020113536614 申请日:20201127
实质审查的生效
机译: 基于电流感应的导通状态RDS(ON)中MOSFET漏源电阻的电压调节
机译: 使用跨漏极至源极电阻的电压降来进行场效应晶体管电流感测的方法和设备,消除了对场效应晶体管温度和/或漏极至源极电阻初始值的统计分布的依赖性
机译: 用于感测直流转换器的负载电流的负载电流感测电路,具有形成与时间平均电阻成比例的电阻的模拟级,以及测量电路以电压测量流经电阻的电流的测量电路