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阻抗匹配电路和具有阻抗匹配电路的半导体存储器

摘要

一种半导体存储器的阻抗匹配电路,使用反映在制造过程中的变化的偏移误差的初始值来执行ZQ校准。所述阻抗匹配电路包括第一下拉电阻单元、第一上拉电阻单元和码产生单元。所述第一下拉电阻单元向第一节点提供地电压,由此确定初始下拉码。所述第一上拉电阻单元向所述第一节点提供电源电压,由此确定在所述第一节点上的初始上拉码或电压电平。所述码产生单元使用所述初始下拉和上拉码作为各自的初始值来产生下拉和上拉校准码。

著录项

  • 公开/公告号CN101256826B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-03-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 海力士半导体有限公司;

    申请/专利号CN200710306342.6

  • 发明设计人 郑椿锡;李在真;

    申请日2007-12-28

  • 分类号G11C7/10(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人杜诚;陈炜

  • 地址 韩国京畿道利川市

  • 入库时间 2022-08-23 09:13:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-03-27

    授权

    授权

  • 2008-10-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-09-03

    公开

    公开

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