公开/公告号CN112834106A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-25
原文格式PDF
申请/专利权人 长芯科技(上海)有限公司;
申请/专利号CN202110054310.1
发明设计人 陈志宝;
申请日2021-01-15
分类号G01L9/06(20060101);
代理机构32260 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙);
代理人张静汝
地址 200000 上海市嘉定区嘉定工业区叶城路925号A区4幢102室
入库时间 2023-06-19 11:05:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-29
授权
发明专利权授予
机译: 利用剪切应力的压阻式压力传感器及其制造方法,能够在晶片上制造压阻式压力传感器
机译: 压阻式压力传感器的制造方法是将芯片和/或组件临时固定在载体或基座上,并在进一步的制造步骤之后将其移除
机译: MEMS MEMS压阻式压力传感器及其制造方法