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公开/公告号CN112838474A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-25
原文格式PDF
申请/专利权人 北京工业大学;
申请/专利号CN202110058763.1
发明设计人 徐晨;吴博;解意洋;傅攀;赵旭鹏;
申请日2021-01-16
分类号H01S5/14(20060101);H01S5/187(20060101);
代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人沈波
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2023-06-19 11:05:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-07-14
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S 5/14 专利申请号:2021100587631 申请公布日:20210525
发明专利申请公布后的驳回
机译: 带有集成热辅助记录(TAR)头的滑块和带有倾斜外腔的垂直腔面发射激光器(VCSEL)
机译: 垂直集成光泵的长波长垂直腔面发射激光器(长波长,垂直集成光学泵的垂直腔面发射激光器)
机译: 泵浦激光器集成垂直外腔表面发射激光器
机译:分子束外延生长的应变补偿1120 nm GalnAs / GaAs垂直外腔面发射激光器
机译:具有单片集成外腔电吸收调制器的MQW DBR激光器,无需修改有源区
机译:具有单区域集成外腔电吸收调制器的MQW波长可调DBR激光器,具有通过选择区域MOCVD制成的低驱动电压
机译:太赫兹发射垂直外腔面发射激光器的光束质量
机译:外延战略的发展,以发展用于无源锁模光泵浦垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)的新型半导体可饱和吸收镜(SESAM)
机译:不同腔配置中锁模垂直外腔面发射激光器的时滞-微分方程建模
机译:自锁模垂直外腔面发射激光器
机译:垂直外腔面发射激光器(pOsTpRINT)小信号调制的分析与表征