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公开/公告号CN112803724A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-14
原文格式PDF
申请/专利权人 思源清能电气电子有限公司;
申请/专利号CN202110012609.0
发明设计人 王云飞;张宏波;许伟泉;申海义;渠慎磊;
申请日2021-01-06
分类号H02M1/08(20060101);H02M3/337(20060101);
代理机构31293 上海唯智赢专利代理事务所(普通合伙);
代理人刘朵朵
地址 201108 上海市闵行区华宁路3399号
入库时间 2023-06-19 10:58:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-02
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H02M 1/08 专利申请号:2021100126090 申请公布日:20210514
发明专利申请公布后的视为撤回
机译: 能够在IGBT关断时防止IGBT导通的逆变器的栅极驱动电路
机译: 具有软关断功能的大容量IGBT驱动电路
机译: 一种驱动器,可为非饱和IGBT开关提供慢速关断
机译:一种新型无回弹,低关断损耗的反向导电SOI-LIGBT的阳极区P型双沟槽栅极的仿真研究
机译:功率MOS FET和IGBT驱动电路:驱动电路概念和设计案例研究
机译:如何制作功率MOS FET和IGBT的驱动电路:驱动电路概念和设计案例研究
机译:一种新的栅极驱动电路,用于改进高电流IGBT模块的关断特性
机译:IGBT的有源栅极驱动电路。
机译:负压和正压联合通气治疗ARDS
机译:用于栅极关断晶闸管的栅极驱动电路,包括限流电路和使用SPICE2进行GTO和饱和磁芯的电路仿真
机译:用于串联堆叠的栅极关断(GTO)器件的栅极驱动电路