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亚微米级金刚石薄膜的化学气相沉积方法及装置

摘要

一种亚微米级金刚石薄膜的微波等离子体化学气相沉积方法及装置;该方法是将籽晶衬底放置在垫盘上,垫盘处于MPCVD设备的生长腔室内,调节生长腔室内压力,运行微波源,调节垫盘温度,随着籽晶衬底的升高,调节垫盘处在生长所需高度;该装置包括垫盘、托盘、石英窗和垫盘运动机构,垫盘、托盘、冷却盘和石英窗由上至下依次设置,垫盘连接在垫盘运动机构的动力输出端;垫盘内设置有加热装置。本发明通过垫盘运动机构调节生长垫盘高度和旋转速率、加热垫盘的方式控制外延薄膜沉积效率,优化各外延区域的沉积速率,随着生长过程中籽晶衬底高度的升高动态调节垫盘的高度并旋转,能保证同一籽晶衬底的生长延续性与均匀性,保证了晶体质量。

著录项

  • 公开/公告号CN112779599A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 济南金刚石科技有限公司;

    申请/专利号CN202011544070.5

  • 申请日2020-12-23

  • 分类号C30B25/16(20060101);C30B25/08(20060101);C30B25/10(20060101);C30B25/12(20060101);C30B25/20(20060101);C30B29/04(20060101);

  • 代理机构37224 济南日新专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王书刚

  • 地址 250101 山东省济南市高新技术产业开发区飞跃大道2016号ICT产业园内

  • 入库时间 2023-06-19 10:57:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-18

    授权

    发明专利权授予

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