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基于高反膜自对准超导纳米线单光子探测器的制备方法

摘要

本发明提供一种基于高反膜自对准超导纳米线单光子探测器的制备方法,采用深硅刻蚀工艺图形化衬底,以在衬底中形成凹槽,其中,凹槽具有自对准器件的形貌,凹槽的位置与超导纳米线对应设置,且凹槽的底部显露高反膜;采用剥离工艺剥离高反膜,以实现制备基于高反膜自对准超导纳米线单光子探测器。

著录项

  • 公开/公告号CN112781735A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201911088597.9

  • 发明设计人 李浩;周后荣;尤立星;王镇;

    申请日2019-11-08

  • 分类号G01J11/00(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人史治法

  • 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号

  • 入库时间 2023-06-19 10:57:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-17

    授权

    发明专利权授予

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