单层多晶硅非易失性存储单元及其存储器

摘要

本发明涉及一种单层多晶硅非易失性存储单元及其组结构和存储器。该存储单元包括一个选择晶体管和一个存储晶体管，所述选择晶体管与存储晶体管串联，而且两者以相互垂直的方式排布于衬底上。所述存储单元组包括4个所述的存储单元，排布成2行×2列的中心对称的阵列。所述存储器包含至少一个存储单元组。所述存储单元及其存储器用作一次性编程存储单元和存储器，具有面积小、编程效率和能力高、数据保持能力强的优点。