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一种八甲基环四硅氧烷中金属杂质的去除设备及工艺

摘要

本发明涉及一种八甲基环四硅氧烷中金属杂质的去除设备及工艺,包括将待纯化的八甲基环四硅氧烷与吸附剂及萃取剂混合,进行吸附‑萃取反应;所述吸附‑萃取反应结束后,静置分层,将上层清液分离至精馏塔中进行精馏提纯,即得到高纯度八甲基环四硅氧烷。本工艺利用极性溶剂更易溶解极性物质的原理,采用极性溶剂从非极性溶剂八甲基环四硅氧烷中萃取金属杂质,并采用吸附剂吸附极性溶剂中的金属杂质,使萃取平衡向极性溶剂中转移,然后再经静置分层,分离出上层八甲基环四硅氧烷。本发明的工艺避免了吸附的金属杂质脱附,从而获得了稳定的金属杂质去除效果,而且还减少了后续精馏的难度,具有节省能耗的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN112759608A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 有研国晶辉新材料有限公司;

    申请/专利号CN202011640584.0

  • 申请日2020-12-31

  • 分类号C07F7/21(20060101);

  • 代理机构11619 北京辰权知识产权代理有限公司;

  • 代理人金铭

  • 地址 065201 河北省廊坊市三河市燕郊兴都村南有研科技集团有限公司二部

  • 入库时间 2023-06-19 10:54:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-05-02

    授权

    发明专利权授予

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