一种实现铌酸锂晶体表面导电的制备方法

摘要

本发明公开了一种实现铌酸锂晶体表面导电的制备方法，具体方法包括以下步骤，S1化学清洗铌酸锂晶体基片表面；S2，在铌酸锂晶体基片表面生长一层金属薄膜层；S3，将铌酸锂晶体基片放入热处理炉中，在氩气和氢气混合气体气氛中恒温退火处理，退火处理完成后，使铌酸锂晶体基片降温至室温25℃；S4，将铌酸锂晶体基片置于强酸溶液浸泡，然后超纯水冲洗去除表面剩余金属薄膜层，最后甩干铌酸锂晶体基片。本方法可与现有集成电路生产工艺流程及工艺设备结合，适合规模化生产，且各步骤流程化，操作简单方便，安全可靠，并可通过精确调节工艺设备参数，可以精确得到不同表面导电性的铌酸锂晶体表面。