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一种多晶PECVD镀膜均匀性优化的方法

摘要

本发明公开了一种多晶PECVD镀膜均匀性优化的方法,属于太阳能电池技术领域。包括以下步骤:预沉积:采用PECVD镀膜设备,在一定的压力和功率下,通入NH3气体,经沉积得镀膜A;沉积第一层SiNx层:在一定的压力和功率下,分别向镀膜A通入SiH4和NH3气体,经沉积得镀膜B;沉积第二层SiNx层:在一定的压力和功率下,分别向镀膜B通入SiH4和NH3气体,经沉积得多晶PECVD镀膜。本发明在常规PECVD设备的基础上,沉积SiNx减反射膜,通过控制两层膜的厚度与折射率,提高对光吸收,利用SiNx物理稳定性,减少光学损失,提高电池效率,优化电池片成品颜色,且本发明不增加生产成本,易于实现。

著录项

  • 公开/公告号CN112760614A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202011450538.4

  • 申请日2020-12-09

  • 分类号C23C16/34(20060101);C23C16/505(20060101);C23C16/02(20060101);H01L31/0216(20140101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11465 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人孙光远

  • 地址 033000 山西省吕梁市文水县经济开发区1号

  • 入库时间 2023-06-19 10:54:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-02-28

    授权

    发明专利权授予

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