基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管及制备方法

摘要

本发明涉及一种基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管及制备方法，该二极管包括：自下而上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、第一势垒层、超晶格层、第二势垒层和GaN帽层，其中，沟道层和第一势垒层之间形成第一导电沟道，超晶格层与第二势垒层之间形成第二导电沟道；阳极，设置在GaN帽层上，且其底部依次穿过GaN帽层和第二势垒层，位于超晶格层内，阳极与超晶格层形成肖特基接触；阴极，设置在GaN帽层上，且围设在阳极的外周，阴极与阳极之间存在间距，阴极与GaN帽层形成欧姆接触。本发明的基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管，增加了导电沟道，进一步提高了电子浓度，减少导通电阻。