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增强二维电子化合物材料磁性响应和居里温度的方法

摘要

本发明涉及一种增强二维电子化合物材料磁性响应和居里温度的方法,将二维电子化合物材料Ca2N进行S原子表面吸附,发生结构相变,使Ca2N材料从六角晶体结构转变为正方晶体结构。Ca‑N‑Ca角度趋近于90度(89.98度),增强了材料的超交换相互作用。计算获得的磁各向异性能和居里温度均大于典型的二维磁性材料CrI3和Cr2Ge2Te6,说明了磁性响应和居里温度的增强。本发明的方法对于二维磁性材料在自旋电子器件和存储器件等应用中具有重要的研究意义。

著录项

  • 公开/公告号CN112744795A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202110138200.3

  • 发明设计人 李伟;崔振浩;

    申请日2021-02-01

  • 分类号C01B21/06(20060101);

  • 代理机构32257 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人崔玉琳

  • 地址 215000 江苏省苏州市张家港市杨舍镇长泾路10号

  • 入库时间 2023-06-19 10:52:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-06-20

    授权

    发明专利权授予

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